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本发明公开一种垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制作方法,其包括n??GaN层(1),n??GaN层(1)上表面设置有绝缘保护层(3)和肖特基势垒电极(5),n??GaN层(1)下表面由上至下依次设置有n+?GaN层(2)、欧姆电极(4);绝缘保护层(3)设置在n??GaN层(1)上表面局部,肖特基势垒电极(5)设置在n??GaN层(1)上表面未设有绝缘保护层(3)的区域,肖特基势垒电极(5)边缘覆盖在绝缘保护层(3)上构成场板结构。本发明使用GaN材料制成垂直结构的肖特基势垒二极管,GaN材料具有宽的带隙、高的击穿电场强度、高的电子迁移率和高的电子饱和速度等特点,解决了肖特基势垒二极管大电流,高的反向电压等问题,实现二极管的大电流、高耐压、小型化。