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微显示芯片阵列的制作方法.pdf
2023-06-07
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本申请涉及一种微显示芯片阵列的制作方法,包括:第1步、在衬底上形成缓冲层,在该缓冲层上依次沉积第一刻蚀层、第二刻蚀层;第2步、采用干法刻蚀工艺,利用掩膜在所述的第二刻蚀层上形成若干个图形化的窗口;第3步、采用湿法刻蚀工艺,去除暴露在所述的窗口处的第一刻蚀层材料,使窗口中的缓冲层暴露;第4步、在窗口中选择性外延,依次生长n?GaN、MWQ和P?GaN层,形成LED像素单元,完成MESA工艺。本申请采用先刻蚀成型,再生长外延制作MESA结构的方法,可以避免在LED像素单元内部产生电荷积聚,避免侧壁晶格破坏,从
2023-06-07
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