一种显示器件加工方法、显示器件及显示装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115831780A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211548798.4G09F9/33(2006.01)(22)申请日2022.12.05(71)申请人深圳市思坦科技有限公司地址518000广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309(72)发明人刘斌芝姜建兴(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师郭晨晨(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)H01L25/16(2023.01)H01L21/50(2006.01)H01L21/78(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图6页(54)发明名称一种显示器件加工方法、显示器件及显示装置(57)摘要本申请公开了一种显示器件加工方法、显示器件及显示装置，涉及半导体器件技术领域。显示器件加工方法包括：提供包括多个发光芯片的第一晶圆，以及提供包括多个驱动芯片的第二晶圆；将所述第一晶圆的所述多个发光芯片一一对应地与所述第二晶圆的所述多个驱动芯片键合，以获得包括多个显示芯片的合板结构；剥离所述第一晶圆的衬底；对所述合板结构进行分切，以获得包括至少一所述显示芯片的显示器件。本申请提供的显示器件加工方法，可明显提升显示器件的加工效率，可实现显示器件的量产。CN115831780ACN115831780A权利要求书1/2页1.一种显示器件加工方法，其特征在于，包括：提供包括多个发光芯片的第一晶圆，以及提供包括多个驱动芯片的第二晶圆；将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合，以获得包括多个显示芯片的合板结构；剥离所述第一晶圆的衬底；对所述合板结构进行分切，以获得包括至少一所述显示芯片的显示器件。2.根据权利要求1所述的显示器件加工方法，其特征在于，所述提供包括多个发光芯片的第一晶圆包括：提供包括多个所述发光芯片的微发光二极管晶圆；按照第一预设尺寸切割所述微发光二极管晶圆，以获得所述第一晶圆。3.根据权利要求2所述的显示器件加工方法，其特征在于，所述提供包括多个驱动芯片的第二晶圆包括：提供包括多个所述驱动芯片的驱动晶圆；按照第二预设尺寸切割所述驱动晶圆，以获得所述第二晶圆。4.根据权利要求3所述的显示器件加工方法，其特征在于，所示第一预设尺寸为n1×m1；其中，20mm≤n1≤100mm，20mm≤m1≤100mm；优选地，40mm≤n1≤50mm，40mm≤m1≤50mm。5.根据权利要求4所述的显示器件加工方法，其特征在于，使所述第二预设尺寸与所述第一预设尺寸相同，所述显示芯片包括Micro‑LED显示芯片或Mini‑LED显示芯片。6.根据权利要求2所述的显示器件加工方法，其特征在于，所述提供包括多个所述发光芯片的微发光二极管晶圆包括：在所述衬底上制备外延层；对所述外延层进行刻蚀，以获得多个发光芯片初始架构；在所述外延层远离所述衬底一侧的表面制作电极；在所述外延层远离所述衬底的一侧制作钝化层，并使所述钝化层覆盖电极；在电极上制作焊盘。7.根据权利要求6所述的显示器件加工方法，其特征在于，所述对所述外延层进行刻蚀，以获得多个发光芯片初始架构包括：在第一预设位置将所述外延层由P型氮化镓层远离所述衬底的一侧刻蚀至N型氮化镓层；在第二预设位置将所述外延层由所述P型氮化镓层远离所述衬底的一侧刻蚀至所述N型氮化镓层靠近所述衬底的一侧，并暴露所述衬底。8.根据权利要求1所述的显示器件加工方法，其特征在于，所述剥离所述第一晶圆的衬底包括：通过激光剥离技术将所述第一晶圆的所述衬底剥离。9.根据权利要求1所述的显示器件加工方法，其特征在于，在所述对所述合板结构进行分切，以获得包括至少一所述显示芯片的显示器件之前，所述显示器件加工方法还包括：在所述第二晶圆靠近所述发光芯片的一侧设置封装胶层，并使所述封装胶层包覆所述第一晶圆的每一所述发光芯片。10.根据权利要求9所述的显示器件加工方法，其特征在于，所述在所述第二晶圆靠近2CN115831780A权利要求书2/2页所述发光芯片的一侧设置封装胶层，并使所述封装胶层包覆所述第一晶圆的每一所述发光芯片包括：在所述发光芯片远离所述第二晶圆一侧覆盖封装胶膜；将所述封装胶膜加热至软化，其中，加热温度为80℃～160℃；使所述封装胶膜冷却硬化。11.一种显示器件，其特征在于，由权利要求1至10任一项所述的显示器件加工方法制作而成。12.一种显示装置，其特征在于，包括由权利要求1至10任一项所述的显示器件加工方法制作而成的显示器件。3CN115831780A说明书1/8页一种显示器件加工方法、显示器件及显示装置技术领域[0001]本申请涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种显示器件加工方法、显示器件及显示装置。