发光器件、显示面板、显示装置和发光器件的制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116033769A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202211288341.4H10K50/15(2023.01)(22)申请日2022.10.20H10K59/122(2023.01)H10K101/40(2023.01)(66)本国优先权数据PCT/CN2021/1263402021.10.26CN(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人赵德江李杨黄维卢天豪(74)专利代理机构北京律智知识产权代理有限公司11438专利代理师张旭庆(51)Int.Cl.H10K50/115(2023.01)H10K50/11(2023.01)H10K50/17(2023.01)H10K50/16(2023.01)权利要求书4页说明书17页附图21页(54)发明名称发光器件、显示面板、显示装置和发光器件的制作方法(57)摘要本公开提供一种发光器件、显示面板、显示装置和发光器件的制作方法。所述发光器件包括：第一膜层，所述第一膜层位于所述第一电极层背离所述衬底基板的一侧，所述第一膜层包括：中间部，以及包围所述中间部的边缘部，其中，所述中间部背离所述第一电极层的表面距所述衬底基板具有第一距离，所述边缘部背离所述第一电极层的表面距所述衬底基板具有第二距离，所述第一距离与所述第二距离不同；发光结构，所述发光结构位于所述第一膜层背离所述第一电极层的一侧，所述发光结构包括有机发光层以及平坦部，所述平坦部位于所述第一距离、所述第二距离中较小一者所在的区域，且与接触的膜层能级匹配。CN116033769ACN116033769A权利要求书1/4页1.一种发光器件，其中，包括：衬底基板；第一电极层，所述第一电极层位于所述衬底基板的一侧；第一膜层，所述第一膜层位于所述第一电极层背离所述衬底基板的一侧，所述第一膜层包括：中间部，以及包围所述中间部的边缘部，其中，所述中间部背离所述第一电极层的表面距所述衬底基板具有第一距离，所述边缘部背离所述第一电极层的表面距所述衬底基板具有第二距离，所述第一距离与所述第二距离不同；发光结构，所述发光结构位于所述第一膜层背离所述第一电极层的一侧，所述发光结构包括有机发光层以及平坦部，所述平坦部位于所述第一距离、所述第二距离中较小一者所在的区域，且与接触的膜层能级匹配，以经所述平坦部填充后，所述发光结构背离所述第一膜层的表面与所述衬底基板之间的膜厚一致；第二电极层，所述第二电极层位于所述发光结构背离所述第一膜层的一侧。2.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述平坦部的材料为量子点。3.如权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第一距离大于所述第二距离，所述平坦部在所述衬底基板的正投影与所述边缘部在所述衬底基板的正投影大致重合。4.如权利要求3所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括具有第一开口的第一像素限定层，以及位于所述第一像素限定层背离所述衬底基板一侧具有第二开口的第二像素限定层，所述第二开口在所述衬底基板的正投影与所述第一开口在所述衬底基板的正投影至少部分重叠；所述第一像素限定层对乙二醇，取代多环芳香碳氢化合物，二乙二醇，三乙二醇二甲醚，庚烷，甲苯，或异丙醇具有亲液性；所述第二像素限定层对乙二醇，取代多环芳香碳氢化合物，二乙二醇，三乙二醇二甲醚，庚烷，甲苯，或异丙醇具有疏液性。5.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一距离小于所述第二距离，所述平坦部在所述衬底基板的正投影与所述中间部在所述衬底基板的正投影大致重合。6.如权利要求5所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括具有第三开口的第三像素限定层；所述第三像素限定层对乙二醇，取代多环芳香碳氢化合物，二乙二醇，三乙二醇二甲醚，庚烷，甲苯，或异丙醇具有输液性；所述第一膜层中与所述平坦部接触的膜层对乙二醇，取代多环芳香碳氢化合物，二乙二醇，三乙二醇二甲醚，庚烷，甲苯，或异丙醇具有疏液性。7.如权利要求1‑6任一项所述的发光器件，其中，所述第一电极层为阳极层，所述第二电极层为阴极层，所述第一膜层包括：空穴注入层，以及位于所述空穴注入层背离所述第一电极层一侧的空穴传输层；所述发光结构与所述第二电极层之间还具有电子传输层；所述平坦部位于所述空穴传输层与所述有机发光层之间。8.如权利要求1‑6任一项所述的发光器件，其中，所述第一电极层为阴极层，所述第二电极层为阳极层，所述第一膜层包括：电子注入层，以及位于所述电子注入层背离所述第一电极层一侧的电子传输层；所述发光结构与所述第二电极层之间还具有空穴传输层；所述平坦部位于所述空穴传输层与所述有机发光层之间。9.如权利要求7或8所述的发光器件，其中，所述平坦部的HOMO能级位于所述空穴传输层的HOMO能级与