一种功率模块的封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115831889A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211560578.3(22)申请日2022.12.07(71)申请人嘉兴斯达微电子有限公司地址314000浙江省嘉兴市南湖区大桥镇凌公塘路3339号（嘉兴科技城）1号楼220室(72)发明人马伟力(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272专利代理师吴轶淳(51)Int.Cl.H01L23/367(2006.01)H01L23/04(2006.01)H01L23/10(2006.01)H01L23/48(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种功率模块的封装结构(57)摘要本发明提供一种功率模块的封装结构，涉及电力电子学技术领域，包括：外壳盖设于功率模块主体上；功率模块主体包括：散热基板，散热基板上连接有多个绝缘陶瓷基板，绝缘陶瓷基板为多块第一陶瓷基板和一块第二陶瓷基板；多个功率端子，各功率端子连接各第一陶瓷基板；多个信号端子，信号端子为第一信号端子和第二信号端子，第一信号端子连接第一陶瓷基板，第二信号端子连接第二陶瓷基板；外壳上开设有分别对应各功率端子的第一开孔和分别对应各信号端子的第二开孔，各信号端子和各功率端子分别对应从各第一开孔和各第二开孔露出。有益效果是相较于现有的功率模块的封装结构，其具有工艺方便、制作耗时短、性能强等优势，有效提高了模块集成度。CN115831889ACN115831889A权利要求书1/1页1.一种功率模块的封装结构，其特征在于，包括：散热基板，所述散热基板上连接有多个绝缘陶瓷基板，所述绝缘陶瓷基板为多块第一陶瓷基板和一块第二陶瓷基板；多个功率端子，各所述功率端子设置在各所述第一陶瓷基板上；多个信号端子，各所述信号端子包括第一信号端子和第二信号端子，所述第一信号端子设置于所述第一陶瓷基板上，所述第二信号端子设置于所述第二陶瓷基板上；外壳，所述外壳盖设于所述散热基板上，所述外壳上开设有分别对应各所述功率端子的第一开孔和分别对应各所述信号端子的第二开孔，各所述信号端子和各所述功率端子分别对应从各所述第一开孔和各所述第二开孔露出。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述功率端子为“门”字型，所述功率端子的底部两端分别设有横向向外延伸的功率端子引脚，各所述功率端子引脚为“U”型结构。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述信号端子的底部设有信号端子引脚，所述信号端子引脚为“工”字型结构。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述信号端子引脚与所述信号端子的顶部之间还设有焊接缓冲区，所述焊接缓冲区为“S”型结构。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述外壳的各所述第一开孔的周围设有朝远离所述功率模块主体方向凸出的凸台，各相邻凸台之间设有凹槽。6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述凹槽的宽度为4mm‑8mm。7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，各所述信号端子的露出部分设有安装孔，所述外壳上设有多个与各所述第二开孔5和所述安装孔对应的安装螺母；各所述信号端子的露出部分向所述外壳方向弯折后，通过对应的各所述安装螺母固定于所述安装孔所在位置。8.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，还包括螺母滑块，所述外壳远离所述第二开孔的侧面开设有矩形槽，所述矩形槽0与所述凸台连通，各所述功率端子的顶部开设有安装孔，所述螺母滑块上设有分别与各所述功率端子的安装孔对应的螺母安装孔；所述螺母滑块通过所述矩形槽插入所述外壳内部，并通过螺栓穿过所述功率端子的安装孔与各所述螺母安装孔内的螺母对应连接。9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘陶5瓷基板包括：陶瓷材料层，所述陶瓷材料层上表面和下表面分别形成有无氧铜铜层；所述陶瓷材料层使用材料为Al2O3，或AlN，或Si3N4。10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二陶0瓷基板设于所述散热基板的长度方向上的一侧；各所述第一陶瓷基板上连接至少一块IGBT芯片和至少一块二极管芯片。2CN115831889A说明书1/4页一种功率模块的封装结构技术领域[0001]本发明涉及电力电子学技术领域，尤其涉及一种功率模块的封装结构。背景技术[0002]功率模块是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动器件。由于具有高集成度、高可靠性等优势，功率模块赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频调速、冶金机械、电力牵引、伺服驱动和变频家电常用的电力电子器件。功率半导体模块主要应用于电能转换的应用场合，如：变频器、电机驱动、电源、输变电等，功率半导体模块是将功率半导体芯片封装成各种电路基本单元，应用于电力电子系统功率回