一种电路结构及射频放大器电路.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115865008A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211655027.5(22)申请日2022.12.22(71)申请人上海川土微电子有限公司地址201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号(72)发明人汪堃丁万新(74)专利代理机构北京清大紫荆知识产权代理有限公司11718专利代理师黄贞君黎飞鸿(51)Int.Cl.H03F1/32(2006.01)H03F3/193(2006.01)H03F3/45(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图2页(54)发明名称一种电路结构及射频放大器电路(57)摘要本申请涉及一种电路结构及射频放大器电路，其特征在于，包括：共源极MOS管、共栅极MOS管以及控制电路；所述共源极MOS管用于将输入信号放大形成与所述输入信号成正比的漏电流；所述共源极MOS管的漏极与所述共栅极MOS管的源极连接，所述共栅极MOS管将漏电流传输到所述共栅极MOS管漏极输出；所述共栅极MOS管漏极的输出与所述控制电路连接；所述控制电路用于控制所述电路结构工作在不同状态。通过如此设计，在不增加主放大器通路电流的基础上，仅通过增加一个控制电路，即可显著提高放大器的三阶交调点；另外，该控制电路也可以使得整个电路关断，从而在不需要断开电源的情形下降低功耗。CN115865008ACN115865008A权利要求书1/2页1.一种电路结构，其特征在于，包括：共源极MOS管、共栅极MOS管以及控制电路；所述共源极MOS管用于将输入信号放大形成与所述输入信号成正比的漏电流；所述共源极MOS管的漏极与所述共栅极MOS管的源极连接，所述共栅极MOS管将漏电流传输到所述共栅极MOS管漏极输出；所述共栅极MOS管漏极的输出与所述控制电路连接；所述控制电路用于控制所述电路结构工作在不同状态。2.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述控制电路包括：第十三端口、第三十五端口、第三十六电阻、第三十七MOS管、第四十二电阻、第四十三电阻、第四十四电阻、第四十五电阻、第四十六电阻、第三十八MOS管、第四十七电阻、第四十八电阻48以及第三十九MOS管；其中，控制信号由所述第三十五端口的一端输入，所述第三十六电阻的一端与所述第三十五端口的另一端连接，所述三十六电阻的另一端与所述第三十七MOS管的栅极相连接，所述第三十七MOS管的漏极与所述第四十三电阻的一端连接，所述第四十三电阻、所述第四十四电阻、所述第四十五电阻与所述第四十二电阻连接在一起；所述三十七MOS管的漏极、所述第三十八MOS管的源极与所述第四十六电阻连接在一起，所述三十八MOS管的漏极与所述第四十四电阻的一端、所述第四十八电阻a电阻的一端连接，所述第三十八MOS管的栅极与所述第四十五电阻、所述第四十六电阻连接；所述第四十八电阻48的另一端与所述第三十九MOS管的栅极连接；所述第四十六电阻、所述第四十七电阻与参考地连接；所述第四十三电阻、第四十四电阻、第四十五电阻与所述第四十二电阻的一端连接，所述第四十二电阻的另一端与所述第十三端口连接。3.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，输入信号经隔直电容输入到所述的电路结构。4.根据权利要求2所述的电路结构，其特征在于，所述控制信号控制所述第三十七MOS管开启，外部电源通过片外馈电电感、所述第四十二电阻、所述第四十三电阻、所述第三十七MOS管以及所述第四十六电阻形成到参考地的电流通路。5.根据权利要求2所述的电路结构，其特征在于，所述控制信号控制所述第三十七MOS管开启，输出功率信号通过所述第四十二电阻、所述第四十三电阻、所述第三十七MOS管以及所述第四十六电阻形成到参考地的输出，负载端无输出功率信号。6.根据权利要求2所述的电路结构，其特征在于，所述控制信号控制所述第三十七MOS管断开、第三十八MOS管开启。7.根据权利要求6所述的电路结构，其特征在于，所述第三十八MOS管的栅极电压为电源的电阻分压，选择电阻数值使得所述第三十八MOS管开启。8.根据权利要求6所述的电路结构，其特征在于，增大所述第十三端口上的电压，使得所述第四十七电阻上的电流增大，所述第三十八MOS管栅极电压升高，所述第三十八MOS的源漏电流增大，所述第四十四电阻上、所述第四十六电阻上的电流增大，所述第四十二电阻与所述第四十四电阻连接处的电压升高，所述第四十二电阻上的电流变小，形成负反馈。9.根据权利要求8所述的电路结构，其特征在于，所述第三十九MOS管通过调节电阻比例或MOS尺寸，调整所述负反馈。2CN115865008A权利要求书2/2页10.一种射频放大器电路，其特征在于，所述射频放大器电路使用权利要求1‑9中任一项所述的电路结构。3C