一种欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863405A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211691194.5(22)申请日2022.12.27(71)申请人厦门市三安集成电路有限公司地址361100福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号(72)发明人王旺平谭杰利徐江石(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师宋南(51)Int.Cl.H01L29/40(2006.01)H01L29/45(2006.01)H01L29/778(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称一种欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件(57)摘要本申请公开了一种欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件，涉及半导体技术领域。本申请提供的欧姆接触结构的制备方法，包括：提供待制备欧姆接触金属电极的外延片，真空环境中在外延片对应电极的位置处依次蒸镀粘附层和覆盖层；将蒸镀有粘附层和覆盖层的外延片暴露在大气中以使覆盖层表面的金属材料氧化形成阻挡层；真空环境中在阻挡层上依次蒸镀连接层和保护层；将形成有连接层和保护层的外延片在500‑600℃的环境中退火处理。本申请提供的欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件，能够在低温环境下制备出表面光滑、且膜层较厚的欧姆接触结构。CN115863405ACN115863405A权利要求书1/2页1.一种欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，包括；提供待制备欧姆接触金属电极的外延片；真空环境中在所述外延片对应电极的位置处依次蒸镀粘附层和覆盖层；将蒸镀有所述粘附层和所述覆盖层的外延片暴露在大气中以使覆盖层表面的金属材料氧化形成阻挡层；真空环境中在所述阻挡层上依次蒸镀连接层和保护层；将形成所述连接层和所述保护层的外延片在500‑600℃的环境中退火处理。2.根据权利要求1所述的欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，蒸镀有粘附层和覆盖层的外延片暴露在大气中预设时长，以使所述阻挡层的厚度在1‑10nm之间。3.根据权利要求1所述的欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述真空环境中在所述阻挡层上依次蒸镀连接层和保护层，包括：将设置有所述阻挡层的外延片放置于电子束蒸发镀膜机的镀膜腔室中并对所述镀膜腔室抽真空处理；在所述阻挡层上蒸镀镍金属形成连接层；在所述连接层上蒸镀金材料形成保护层。4.根据权利要求1所述的欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述真空环境中在所述外延片对应电极的位置处依次蒸镀粘附层和覆盖层，包括：将外延片放置于电子束蒸发镀膜机的镀膜腔室中并对所述镀膜腔室抽真空处理；在所述外延片对应电极的位置处蒸镀钛金属形成粘附层；在所述外延片对应电极的位置处蒸镀铝金属形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述粘附层。5.根据权利要求1所述的欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述将蒸镀有所述粘附层和所述覆盖层的外延片暴露在大气中以使覆盖层表面的金属材料氧化形成阻挡层，包括：所述覆盖层采用铝金属形成；所述覆盖层表面的铝金属在大气中与大气中的氧气发生反应生成铝氧化物层，作为阻挡层。6.一种欧姆接触结构，设置于HEMT器件的外延片上，其特征在于，欧姆接触结构设置于HEMT器件的源极和漏极，所述欧姆接触结构包括依次设置于所述外延片上的粘附层、覆盖层、阻挡层、连接层和保护层，其中，所述阻挡层为所述覆盖层的金属材料的氧化物。7.根据权利要求6所述的欧姆接触结构，其特征在于，所述阻挡层为铝氧化物层，所述保护层包含金。8.根据权利要求6所述的欧姆接触结构，其特征在于，所述粘附层的厚度在之间，所述覆盖层的厚度在之间，所述阻挡层的厚度在之间，所述连接层的厚度在之间，所述保护层的厚度在之间。9.根据权利要求6所述的欧姆接触结构，其特征在于，所述粘附层与所述覆盖层的厚度比例在1:5‑1:50之间。10.一种HEMT器件，其特征在于，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片以及间隔设置2CN115863405A权利要求书2/2页在所述外延片上源极和漏极，所述源极和所述漏极为欧姆接触结构，所述源极或漏极的欧姆接触结构采用如权利要求6‑9任一项所述的欧姆接触结构。3CN115863405A说明书1/7页一种欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件技术领域[0001]本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件。背景技术[0002]宽禁带半导体氮化镓具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和漂移速度高等优点，氮化镓高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilityTransistor，HEMT)在微波大功率器件和高压电力电子器件方面均有明显的优势，已经成为当前的研究热点之一。欧姆接触是氮化镓HEMT器件的关键技术，欧姆接触电极制备的方