具有选择性电磁屏蔽和高透过率的膜层系统及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115867008A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202210981630.6G03F7/20(2006.01)(22)申请日2022.08.16C23C14/06(2006.01)C23C14/10(2006.01)(71)申请人云南北方光学科技有限公司C23C14/12(2006.01)地址650000云南省昆明市中国（云南）自C23C14/16(2006.01)由贸易试验区昆明片区经开区红外路C23C14/18(2006.01)5号102号工房C23C14/24(2006.01)(72)发明人祝旭锋程海娟王元康于闻王柯陈骥杨永华茹丘旭陈蛟(74)专利代理机构昆明盛鼎宏图知识产权代理事务所(特殊普通合伙)53203专利代理师许竞雄(51)Int.Cl.H05K9/00(2006.01)权利要求书1页说明书11页附图8页(54)发明名称具有选择性电磁屏蔽和高透过率的膜层系统及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种具有选择性电磁屏蔽和高透过率的膜层系统，包括有曲面光学窗口、电磁屏蔽功能膜、电极膜和红外增透膜；所述电磁屏蔽功能膜与电极膜的膜系材料、结构和厚度均相同；本发明的光学窗口采用曲面，并将功能涂层制备到光学窗口的凹面，封闭于系统内部，在实现与现有技术相同效果的同时，避免了任何功能涂层的外界暴露，彻底解决了外界环境带来的风沙、雨蚀、辐射对膜层的破坏，大幅提高了耐高低温、湿热等恶劣环境能力。CN115867008ACN115867008A权利要求书1/1页1.一种具有选择性电磁屏蔽和高透过率的膜层系统，其特征在于：包括有曲面光学窗口、电磁屏蔽功能膜、电极膜和红外增透膜；所述电磁屏蔽功能膜与电极膜的膜系材料、结构和厚度均相同。2.根据权利要求1所述的具有选择性电磁屏蔽和高透过率的膜层系统，其特征在于：所述曲面光学窗口的凹面上有网栅沟槽；所述电磁屏蔽功能膜镀制在网栅沟槽内；所述电极膜镀制在电磁屏蔽功能膜上；所述红外增透膜镀制在曲面光学窗口的整个有效口径内。3.根据权利要求2所述的具有选择性电磁屏蔽和高透过率的膜层系统，其特征在于：所述网栅沟槽的周期为320±10μm～500±10μm；线宽为12±2μm。4.根据权利要求2所述的具有选择性电磁屏蔽和高透过率的膜层系统，其特征在于：所述曲面光学窗口采用K9玻璃基底、ZnS基底、Si基底或Ge基底。5.根据权利要求1所述的具有选择性电磁屏蔽和高透过率的膜层系统，其特征在于：所述电磁屏蔽功能膜和电极膜的膜系材料包括有金、银、铬、铜、铝、镍、钛、银合金中的一种或多种。6.根据权利要求5所述的具有选择性电磁屏蔽和高透过率的膜层系统，其特征在于：所述电磁屏蔽功能膜和电机膜的膜层结构包括有连接层、功能层和保护层。7.根据权利要求1所述的具有选择性电磁屏蔽和高透过率的膜层系统，其特征在于：所述红外增透膜包括由氟化镁、二氧化硅、OS‑50中的一种或两种制备层的单层或双层膜。8.一种制备具有频率选择性电磁屏蔽和高效透过功能的光窗膜层系统的方法，其特征在于：包括有如下步骤：通过激光直写在曲面光学窗口的光刻胶上刻蚀并通过显影工艺显影出网栅沟槽；在网栅沟槽内沉积金属得到金属网栅。9.根据权利要求8所述的制备具有频率选择性电磁屏蔽和高效透过功能的光窗膜层系统的方法，其特征在于，沉积金属的具体步骤包括：采用物理气相沉积的方式蒸镀电磁屏蔽功能膜；去除光刻胶后，采用物理气相沉积的方式蒸镀电极膜；在曲面光学窗口有效口径上采用物理气相沉积的方式镀制红外增透膜。10.根据权利要求9所述的制备具有频率选择性电磁屏蔽和高效透过功能的光窗膜层系统的方法，其特征在于：采用物理气相沉积工艺蒸镀电磁屏蔽功能膜和电极膜的蒸发温‑3‑4度为60~120℃，蒸发速率为0.2~1.0nm/s，真空度为3.0×10~9.0×10Pa，真空通氧量为8~12sccm，离子能量为425~445eV，电子束流为63~83mA；采用物理气相沉积工艺蒸镀红外增‑3‑4透膜的蒸发温度为160~240℃：蒸发速率为0.2~0.9nm/s，真空度为3.0×10~9.0×10Pa，OS‑50真空通氧量为8~15sccm，二氧化硅真空通氧量为0sccm，OS‑50电子束流为280~340mA，二氧化硅电子束流为80~120mA。2CN115867008A说明书1/11页具有选择性电磁屏蔽和高透过率的膜层系统及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及功能涂层技术领域，特别是一种具有频率选择性电磁屏蔽和高透过功能的光窗膜层系统及其制备方法。背景技术[0002]在航空航天、舰船舰艇等军事领域，各种飞行器和武器装备空间环境的电磁干扰日趋复杂，其上的光学窗口需具备高透光性能和优良的成像效果