马达驱动装置、马达系统及电气设备.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115864909A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211114993.6(22)申请日2022.09.14(30)优先权数据2021-1556282021.09.24JP(71)申请人罗姆股份有限公司地址日本京都(72)发明人大田黑义人小林良太(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287专利代理师奚勇(51)Int.Cl.H02P8/12(2006.01)H02P7/06(2006.01)H02K11/27(2016.01)权利要求书1页说明书7页附图4页(54)发明名称马达驱动装置、马达系统及电气设备(57)摘要本发明涉及一种马达驱动装置、马达系统及电气设备。本发明所提供的马达驱动装置，既能抑制流动于马达线圈的电流因无法跟随反向电压的变化而发生畸变的情况，又能极力抑制流动于马达线圈的电流的纹波。本发明的马达驱动装置(30)具备：电流检测部(2、4)，检测流动于马达线圈的电流；控制部(31)，构成为在供电模式结束后执行使所述电流衰减的慢衰减模式；及判定部(33、34、35)，构成为，判定在从所述供电模式切换为所述慢衰减模式的第1时间点起经过指定时间的第2时间点的所述电流是否低于极限值。在所述判定部判定所述电流不低于所述极限值的情况下，所述控制部构成为，在所述第2时间点从所述慢衰减模式切换为快衰减模式。CN115864909ACN115864909A权利要求书1/1页1.一种马达驱动装置，具备：电流检测部，构成为检测流动于马达线圈的电流；控制部，构成为在各循环中在供电模式结束后执行使所述电流衰减的慢衰减模式；及判定部，构成为，判定在从所述供电模式切换为所述慢衰减模式的第1时间点起经过指定时间的第2时间点的所述电流是否低于极限值；且在所述判定部判定所述电流不低于所述极限值的情况下，所述控制部构成为，在所述第2时间点，从所述慢衰减模式切换为使所述电流比所述慢衰减模式更加快速地衰减的快衰减模式；各个所述循环仅包含连续的所述供电模式及连续的电流衰减模式各1个；各个所述电流衰减模式仅包含所述慢衰减模式，或者包含所述慢衰减模式及所述快衰减模式这两者。2.根据权利要求1所述的马达驱动装置，其中在所述判定部判定所述电流低于所述极限值的情况下，所述控制部构成为，在所述第2时间点之后仍继续执行所述慢衰减模式。3.根据权利要求1或2所述的马达驱动装置，其中所述控制部构成为，在各循环中，至少在经过最小接通时间之前执行所述供电模式，在所述最小接通时间结束的时间点所述电流还没有达到极限值的情况下，继续执行所述供电模式，直到达到所述极限值为止。4.根据权利要求1至3中任一项所述的马达驱动装置，其具备H桥接电路，所述电流检测部构成为，通过检测所述H桥接电路的低边晶体管的第1端‑第2端间电压来检测所述电流。5.根据权利要求1至4中任一项所述的马达驱动装置，其中所述判定部具备比较器，所述比较器构成为比较与所述电流相对应的第1电压和与所述极限值相对应的第2电压，所述第2时间点的所述比较器的输出成为所述判定部的判定结果。6.根据权利要求1至5中任一项所述的马达驱动装置，其中所述指定时间的长短是将从所述第1时间点到本次循环结束为止的时间乘以大于0且小于1的指定比率而获得的值。7.一种马达系统，具备：马达、及构成为驱动所述马达的根据权利要求1至6中任一项所述的马达驱动装置。8.一种电气设备，具备根据权利要求7所述的马达系统。2CN115864909A说明书1/7页马达驱动装置、马达系统及电气设备技术领域[0001]本说明书中所公开的发明涉及一种马达驱动装置、马达系统及电气设备。背景技术[0002]图4是表示驱动步进马达的马达驱动装置中所用H桥接电路的构成例的图。[0003]图4所示的H桥接电路具备作为高边晶体管的P沟道型FET(FieldEffectTransistor，场效应晶体管)1及3、以及作为低边晶体管的N沟道型FET2及4。[0004]向P沟道型FET1的源极及背栅、以及P沟道型FET3的源极及背栅施加电源电压VCC。[0005]N沟道型FET2的漏极与P沟道型FET1的漏极连接。N沟道型FET4的漏极与P沟道型FET3的漏极连接。向N沟道型FET2的源极及背栅、以及N沟道型FET4的源极及背栅施加接地电压。接地电压是低于电源电压VCC的电压。[0006]在P沟道型FET1中形成了寄生二极管D1。寄生二极管D1的阳极与P沟道型FET1的漏极连接，寄生二极管D1的阴极与P沟道型FET1的源极及背栅连接。在N沟道型FET2中形成了寄生二极管D2。寄生二极管D2的阳极与N沟道型FET2的源极及背栅连接，寄生二极管D2的阴极与N沟道型FET2的漏极连接。[000