马达驱动电路、马达系统及电气设备.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115864910A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211122149.8H02H7/08(2006.01)(22)申请日2022.09.15(30)优先权数据2021-1556302021.09.24JP(71)申请人罗姆股份有限公司地址日本京都(72)发明人大田黑义人小林良太(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287专利代理师奚勇(51)Int.Cl.H02P8/12(2006.01)H02P27/06(2006.01)H02M7/5387(2007.01)H02M1/088(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图7页(54)发明名称马达驱动电路、马达系统及电气设备(57)摘要本发明涉及一种马达驱动电路、马达系统及电气设备。本发明提供一种马达驱动电路，其通过布局上的研究设计，既能抑制安装面积的增大，又能在电流断开动作时抑制产生闩锁效应。马达驱动电路(10)具备第1、2相半桥电路(HB1、HB2)。第1、2相半桥电路具备：第1、2相高边FET(1、3)，构成为第1端被施加第1电压；及第1、2相低边FET(2、4)，构成为第1端连接有所述第1、2相高边FET的第2端，且第2端被施加低于所述第1电压的第2电压。在第1相高边FET和第2相低边FET之间，配置了第1相低边FET或第2相高边FET。在第1相低边FET和第2相高边FET之间，配置了第2相低边FET或第1相高边FET。CN115864910ACN115864910A权利要求书1/2页1.一种马达驱动电路，具备：第1相半桥电路、及第2相半桥电路；所述第1相半桥电路具备：第1相高边FET，构成为第1端被施加第1电压；及第1相低边FET，构成为第1端连接有所述第1相高边FET的第2端，且第2端被施加低于所述第1电压的第2电压；所述第2相半桥电路具备：第2相高边FET，构成为第1端被施加所述第1电压；及第2相低边FET，构成为第1端连接有所述第2相高边FET的第2端，且第2端被施加所述第2电压；在所述第1相高边FET和所述第2相低边FET之间，配置了所述第1相低边FET或所述第2相高边FET；在所述第1相低边FET和所述第2相高边FET之间，配置了所述第2相低边FET或所述第1相高边FET。2.根据权利要求1所述的马达驱动电路，其中在所述第1相高边FET和所述第2相低边FET之间配置了所述第1相低边FET。3.根据权利要求2所述的马达驱动电路，其具备：第1导电体部，构成为与所述第1相高边FET的第1端及所述第2相高边FET的第1端连接；第2导电体部，构成为与所述第1相高边FET的第2端及所述第1相低边FET的第1端连接；第3导电体部，构成为与所述第1相低边FET的第2端及所述第2相低边FET的第2端连接；及第4导电体部，构成为与所述第2相高边FET的第2端及所述第2相低边FET的第1端连接；从与所述第1相高边FET、所述第1相低边FET、所述第2相低边FET、及所述第2相高边FET的排列方向、和形成有所述第1相高边FET、所述第1相低边FET、所述第2相低边FET、及所述第2相高边FET的基材的厚度方向呈直角的方向观察时，所述第1导电体部、所述第2导电体部、所述第3导电体部、及所述第4导电体部不重叠。4.根据权利要求2所述的马达驱动电路，其具备：第1导电体部，构成为与所述第1相高边FET的第1端及所述第2相高边FET的第1端连接；第2导电体部，构成为与所述第1相高边FET的第2端及所述第1相低边FET的第1端连接；第3导电体部，构成为与所述第1相低边FET的第2端及所述第2相低边FET的第2端连接；及第4导电体部，构成为与所述第2相高边FET的第2端及所述第2相低边FET的第1端连接；从与所述第1相高边FET、所述第1相低边FET、所述第2相低边FET、及所述第2相高边FET的排列方向、和形成有所述第1相高边FET、所述第1相低边FET、所述第2相低边FET、及所述第2相高边FET的基材的厚度方向呈直角的方向观察时，所述第2导电体部与所述第1导电体部及所述第3导电体部重叠，所述第4导电体部与所述第1导电体部及所述第3导电体部重叠，所述第2导电体部及所述第4导电体部彼此不重叠。5.根据权利要求1至4中任一项所述的马达驱动电路，其中所述第1相高边FET、所述第1相低边FET、所述第2相高边FET、及所述第2相低边FET的各者中，2CN115864910A权利要求书2/2页所述第1相高边FET、所述第1相低边FET、所述第2相高边FET、及所述第2相低边FET的排列方向上的长度，短于与所述第1相高边FET、所述第1相低边FET、所述第2相高边FET、及所述第2相低边FET