γ能注量谱的修正方法、存储介质、修正装置及修正系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115856992A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211574607.1(22)申请日2022.12.08(71)申请人中国原子能科学研究院地址102413北京市房山区新镇三强路1号院(72)发明人张书峰李春娟石斌陈军倪宁宋明哲刘蕴韬(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270专利代理师何娜蒋雅洁(51)Int.Cl.G01T7/00(2006.01)G06F30/25(2020.01)权利要求书2页说明书8页附图2页(54)发明名称γ能注量谱的修正方法、存储介质、修正装置及修正系统(57)摘要本申请实施例提供一种γ能注量谱的修正方法、存储介质、修正装置及修正系统，所述γ能注量谱的修正方法包括：基于探测器的参数模型、屏蔽结构的参数模型以及照射束的中子源参数进行蒙特卡洛模拟，获取中子诱导的次级γ射线的模拟脉冲幅度谱；获取总的γ射线脉冲幅度谱，所述的总的γ射线脉冲幅度谱由探测器对经屏蔽结构的照射束进行测量取得；根据次级γ射线的模拟脉冲幅度谱，对总的γ射线脉冲幅度谱进行修正，得到初级γ射线脉冲幅度谱；对初级γ射线脉冲幅度谱解谱得到γ能注量谱。本申请实施例的γ能注量谱的修正方法，能够提高探测器测量结果的准确性。CN115856992ACN115856992A权利要求书1/2页1.一种γ能注量谱的修正方法，其特征在于，所述γ能注量谱的修正方法包括：基于探测器的参数模型、屏蔽结构的参数模型以及照射束的中子源参数进行蒙特卡洛模拟，获取中子诱导的次级γ射线的模拟脉冲幅度谱；获取总的γ射线脉冲幅度谱，所述的总的γ射线脉冲幅度谱由探测器对经屏蔽结构的照射束进行测量取得；根据次级γ射线的模拟脉冲幅度谱，对总的γ射线脉冲幅度谱进行修正，得到初级γ射线脉冲幅度谱；对初级γ射线脉冲幅度谱解谱得到γ能注量谱。2.如权利要求1所述的一种γ能注量谱的修正方法，其特征在于，所述的探测器的参数模型包括尺寸参数模型和死层参数模型。3.如权利要求2所述的一种γ能注量谱的修正方法，其特征在于，所述死层参数模型的构建方法包括：获取参考辐射场的脉冲幅度谱，所述的参考辐射场的脉冲幅度谱由探测器在参考辐射场中测量取得；获取探测器的尺寸参数模型以及探测器的预设死层参数模型；基于探测器的尺寸参数模型、探测器的预设死层参数，以及参考辐射场的辐射源参数进行蒙特卡洛模拟，获得参考辐射场的模拟脉冲幅度谱；根据参考辐射场的脉冲幅度谱以及参考辐射场的模拟脉冲幅度谱，对探测器的预设死层参数模型进行修正，将修正后的预设死层参数模型作为所述死层参数模型。4.如权利要求3所述的一种γ能注量谱的修正方法，其特征在于，所述的根据参考辐射场的脉冲幅度谱以及参考辐射场的模拟脉冲幅度谱，对探测器的预设死层参数模型进行修正，将修正后的预设死层参数模型作为所述死层参数模型的步骤包括：根据参考辐射场的脉冲幅度谱计算获得探测器效率值；根据参考辐射场的模拟脉冲幅度谱计算获得探测器模拟效率值；对预设的探测器的死层参数进行调节，使参考辐射场的模拟脉冲幅度谱变化，探测器模拟效率值跟随变化，直至探测器模拟效率值与探测器效率值偏差小于预设条件；获取调节后的探测器的死层参数作为所述死层参数模型。5.如权利要求3所述的一种γ能注量谱的修正方法，其特征在于，所述的参考辐射场的辐射源参数包括能量范围在0.1MeV～11MeV之间的γ源。6.如权利要求3所述的一种γ能注量谱的修正方法，其特征在于，所述的对初级γ射线脉冲幅度谱解谱得到γ能注量谱的步骤包括：根据探测器的尺寸参数模型、死层参数模型、屏蔽结构的参数模型以及单能γ辐射源参数，利用蒙特卡洛模拟建立探测器的响应函数；根据探测器的响应函数，对初级γ射线脉冲幅度谱解谱得到γ能注量谱。7.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令能够被处理器执行以实现权利要求1～6任一项所述的修正方法的步骤。8.一种修正装置，其特征在于，所述修正装置包括：第一获取模块，用于基于探测器的参数模型、屏蔽结构的参数模型以及照射束的中子源参数进行蒙特卡洛模拟，获取中子诱导的次级γ射线的模拟脉冲幅度谱；2CN115856992A权利要求书2/2页第二获取模块，用于获取总的γ射线脉冲幅度谱，所述的总的γ射线脉冲幅度谱由探测器对经屏蔽结构的照射束进行测量取得；修正模块，用于根据次级γ射线的模拟脉冲幅度谱，对总的γ射线脉冲幅度谱进行修正，得到初级γ射线脉冲幅度谱；解谱模块，用于对初级γ射线脉冲幅度谱解谱得到γ能注量谱。9.一种修正系统，其特征在于，所述修正系统包括：探测器，用于对照射束进行测量；屏蔽结构，沿照射束的射出方向设置于探测器上游，所述屏蔽结构用于慢化和吸收照射束的中子、