栅极驱动电路及显示面板.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115862514A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211627508.5(22)申请日2022.12.16(71)申请人TCL华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人胡诗犇(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570专利代理师杨瑞(51)Int.Cl.G09G3/20(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图2页(54)发明名称栅极驱动电路及显示面板(57)摘要本申请公开了一种栅极驱动电路及显示面板，该栅极驱动电路包括多个级联的栅极驱动单元，其中，第N级栅极驱动单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管，在上拉节点处于高电位状态下，第二晶体管、第三晶体管以及第五晶体管导通，第一低电位线依次通过第三晶体管、第五晶体管可以在第五晶体管的第一极输出更低的电位；在上拉节点处于低电位状态下，第二低电位线通过第六晶体管可以在第六晶体管的第一极提供更高的电位，从而使得第五晶体管更好地截止以改善第五晶体管的漏电流现象，进而提高了第五晶体管的第一极的高电位维持能力，这提高了由第一晶体管至第六晶体管构成的反相器的驱动能力。CN115862514ACN115862514A权利要求书1/2页1.一种栅极驱动电路，其特征在于，所述栅极驱动电路包括多个级联的栅极驱动单元，其中，第N级栅极驱动单元包括：第一晶体管，所述第一晶体管的第一极与所述第一晶体管的栅极、第一控制线连接；第二晶体管，所述第二晶体管的第一极与所述第一晶体管的第二极连接，所述第二晶体管的栅极与上拉节点连接；第三晶体管，所述第三晶体管的第一极与所述第二晶体管的第二极连接，所述第三晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极连接，所述第三晶体管的第二极与第一低电位线连接；第四晶体管，所述第四晶体管的第一极与所述第一控制线连接，所述第四晶体管的栅极与所述第一晶体管的第二极连接；第五晶体管，所述第五晶体管的第一极与所述第四晶体管的第二极连接，所述第五晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极连接，所述第五晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极连接；第六晶体管，所述第六晶体管的第一极与所述第五晶体管的第二极连接，所述第六晶体管的栅极与所述第四晶体管的第二极连接，所述第六晶体管的第二极与第二低电位线连接。2.根据权利要求1所述的栅极驱动电路，其特征在于，所述第一低电位线用于传输第一低电位信号，所述第二低电位线用于传输第二低电位信号，所述第一低电位信号的电平低于所述第二低电位信号的电平。3.根据权利要求2所述的栅极驱动电路，其特征在于，所述第N级栅极驱动单元还包括第七晶体管，所述第七晶体管的第一极与所述上拉节点连接，所述第七晶体管的栅极与所述第四晶体管的第二极连接，所述第七晶体管的第二极与第三低电位线连接；其中，所述第三低电位线用于传输第三低电位信号，所述第三低电位信号的电平大于所述第一低电位信号的电平，且所述第三低电位信号的电平小于所述第二低电位信号的电平。4.根据权利要求1所述的栅极驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管的沟道类型与所述第二晶体管的沟道类型、所述第三晶体管的沟道类型、所述第四晶体管的沟道类型、所述第五晶体管的沟道类型以及所述第六晶体管的沟道类型相同。5.根据权利要求3所述的栅极驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管以及所述第七晶体管均为N沟道型晶体管。6.根据权利要求1所述的栅极驱动电路，其特征在于，所述第N级栅极驱动单元还包括：第八晶体管，所述第八晶体管的第一极与所述第八晶体管的栅极、第二控制线连接；第九晶体管，所述第九晶体管的第一极与所述第八晶体管的第二极连接，所述第九晶体管的栅极与所述上拉节点连接；第十晶体管，所述第十晶体管的第一极与所述第九晶体管的第二极连接，所述第十晶体管的栅极与第九晶体管的栅极连接，所述第十晶体管的第二极与所述第一低电位线连接；第十一晶体管，所述第十一晶体管的第一极与所述第二控制线连接，所述第十一晶体2CN115862514A权利要求书2/2页管的栅极与所述第八晶体管的第二极连接；第十二晶体管，所述第十二晶体管的第一极与所述第十一晶体管的第二极连接，所述第十二晶体管的栅极与所述第九晶体管的栅极连接；第十三晶体管，所述第十三晶体管的第一极与所述第十二晶体管的第二极、所述第九晶体管的第二极连接，所述第十三晶体管的栅极与所述第十一晶体管的第二极连接，所述第十三晶体管的第二极与所述第二低电位线连接。7.根据权利要求6所述的栅极驱动电路，其特征在于，所述第N级栅极驱动单元还包括第十四晶体管，所述第十四晶体管的第一极与所