一种封装结构及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881672A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202110886287.2(22)申请日2021.08.03(71)申请人西安紫光国芯半导体有限公司地址710075陕西省西安市高新区丈八街办高新六路38号A座4楼(72)发明人王慧梅李文心(74)专利代理机构北京众达德权知识产权代理有限公司11570专利代理师原婧(51)Int.Cl.H01L23/488(2006.01)H01L21/48(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图6页(54)发明名称一种封装结构及其制备方法(57)摘要本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种封装结构及其制备方法，该封装结构包括：基板、阻焊层、覆盖基板，该阻焊层具有将基板裸露的至少两个开窗区域，至少两个开窗区域之间不连通；凸点焊盘，设置于基板上，且位于开窗区域内，进而使得开窗区域减小，阻焊层面积增大，增大了阻焊层与填充胶的接触面积，而阻焊层与填充胶之间的热膨胀系数相较于铜与填充胶之间的热膨胀系数有所改善，进而有效避免了基板与填充胶之间的分层现象。CN115881672ACN115881672A权利要求书1/1页1.一种封装结构，其特征在于，包括：基板；阻焊层，覆盖所述基板，所述阻焊层具有将所述基板裸露的至少两个开窗区域，至少两个所述开窗区域之间不连通；凸点焊盘，设置于所述基板上，且位于所述开窗区域内。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，每一所述开窗区域的边界与所述开窗区域内的所述凸点焊盘的边界的距离大于预设值，所述凸点焊盘的边界为所述凸点焊盘靠近所述开窗区域的位置。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，每一所述开窗区域内相邻的所述凸点焊盘之间的间隙处于预设范围内。4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，每一所述开窗区域内，所述凸点焊盘在行方向以及列方向对齐设置。5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，每一所述开窗区域内，所述凸点焊盘在行方向对齐设置，列方向错位设置。6.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，部分所述开窗区域内，所述凸点焊盘在行方向以及列方向对齐设置；其余部分所述开窗区域内，所述凸点焊盘行方向对齐设置，列方向错位设置。7.根据权利要求1～6任一项所述的封装结构，其特征在于，所述阻焊层具有将所述基板裸露的第一开窗区域、第二开窗区域以及第三开窗区域；所述第一开窗区域、所述第二开窗区域以及所述第三开窗区域之间不连通；所述凸点焊盘设置于所述基板上，且位于所述第一开窗区域、所述第二开窗区域以及所述第三开窗区域内。8.一种芯片，其特征在于，包括：封装结构，所述封装结构包括权利要求1～7任一项所述的封装结构；第一芯片，包括连接凸点，所述连接凸点与所述焊盘凸点一一对应连接。9.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板上设置有凸点焊盘以及覆盖有阻焊层；在所述阻焊层对应所述凸点焊盘的位置处形成至少两个开窗区域，以使所述凸点焊盘裸露，其中，至少两个所述开窗区域之间不连通。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，每一所述开窗区域的边界与所述开窗区域内的所述凸点焊盘的边界的距离大于预设值，所述凸点焊盘的边界为所述凸点焊盘靠近所述开窗区域的位置；每一所述开窗区域内相邻的所述凸点焊盘之间的间隙处于预设范围内。2CN115881672A说明书1/6页一种封装结构及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种封装结构及其制备方法。背景技术[0002]倒装芯片封装是一种先进的芯片互连技术，具有高密度、高性能和轻薄的特点，其中倒装芯片互联技术主要是采用锡球凸点或者铜柱凸点进行互连，随着电子产品逐渐小型化，需要在更小的芯片上实现更多的I/O数量以及更高的带宽，以及采取更好的散热措施。[0003]其中，采用铜柱凸点相较于锡球凸点的间隙较小，但是，若每个凸点单独阻焊层开窗时，该开窗之间的间距无法满足工艺要求。[0004]比如，如图1所示，凸点焊盘101对应阻焊层开窗102，凸点焊盘103对应阻焊层开窗104，由于凸点焊盘101和凸点焊盘103之间的间距为65μm，根据倒装上芯产线经验，阻焊层开窗至少比凸点焊盘单边大29μm，那么，相邻的阻焊层开窗102和阻焊层开窗104之间的间距只有7μm。而该间距不满足基板厂阻焊层开窗的间距规则。因此，现有技术提出在芯片边缘外扩100μm的阻焊层开窗方式105，将外扩之后的边界内的区域全部开窗。[0005]但是，采用上述开窗方式105会使得基板与填充胶之间存在分层现象，原因是开窗处露出的大面积的铜与填充胶之间的热膨胀系数不匹配，进而产生较高的界面应力，从而引起了分层。[0006]因此，如何改善这种分层现象是目前亟