量子点发光器件和显示面板.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115884615A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202111129846.1(22)申请日2021.09.26(71)申请人TCL科技集团股份有限公司地址516006广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦(72)发明人陈开敏(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570专利代理师王朝云(51)Int.Cl.H10K50/115(2023.01)H10K50/15(2023.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称量子点发光器件和显示面板(57)摘要本申请公开了一种量子点发光器件和显示面板。所述量子点发光器件包括依次层叠设置的第一电极层、量子点发光层和第二电极层；所述量子点发光层的量子点为核壳结构量子点，包括核层和壳层；所述量子点发光层包括第一量子点层和第二量子点层，所述第二量子点层设置于所述第一量子点层背离所述第一电极层的一侧，且所述第二量子点层的量子点的壳层能级宽度大于所述第一量子点层的量子点的壳层能级宽度。本申请的量子点发光器件通过量子点发光层的设置，有效改善了电子、空穴的注入平衡，在保持量子点发光器件长寿命的同时提升了器件在常规使用亮度下的效率。CN115884615ACN115884615A权利要求书1/2页1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的第一电极层、量子点发光层和第二电极层；所述量子点发光层的量子点为核壳结构量子点，所述核壳结构量子点包括核层和壳层；所述量子点发光层包括第一量子点层和第二量子点层，所述第二量子点层设置于所述第一量子点层背离所述第一电极层的一侧，且所述第二量子点层的量子点的壳层能级宽度大于所述第一量子点层的量子点的壳层能级宽度。2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光层还包括第三量子点层，设置于所述第二量子点层背离所述第一量子点层的一侧，且所述第三量子点层的量子点的壳层能级宽度大于所述第二量子点层的量子点的壳层能级宽度。3.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，在所述量子点发光层中，所有量子点层的光谱峰位波动≤2nm；和/或在所述量子点发光层中，所有量子点层的光半峰宽波动≤1nm。4.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为5～80nm；和/或所述第一量子点层、所述第二量子点层、第三量子点层的厚度分别在5～30nm之间。5.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点为TypeⅠ型核壳结构量子点。6.根据权利要求1或5所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点的壳层为多层壳层；优选地，所述多层壳层的能级宽度从内向外依次变宽。7.根据权利要求6所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第二量子点层的量子点的最外层壳层能级宽度大于所述第一量子点层的量子点的最外层壳层能级宽度；和/或所述第三量子点层的量子点的最外层壳层能级宽度大于所述第二量子点层的量子点的最外层壳层能级宽度。8.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点选自蓝色量子点、红色量子点和绿色量子点中的一种或几种。9.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点的核层选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe、InP、InAs、InAsP、PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe和PbSTe中的一种或几种；和/或所述量子点的壳层选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe、InP、InAs、InAsP、PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe和PbSTe中的一种或几种。10.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一电极层与所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层，和/或所述量子点发光层与所述第二电极层之间还设置有电子传输层；所述空穴传输层的材料选自TFB、PVK、TCTA、TPD和CBP中的一种或几种；所述电子传输层的材料选自ZnO、TiO2和SnO2中的一种或几种。2CN115884615A权利要求书2/2页11.一种显示面板，包括如权利要求1～10中任一项所述的量子点发光器件。3CN115884