半导体结构及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881542A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202111145116.0(22)申请日2021.09.28(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人王路广(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师郭凤杰(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L21/768(2006.01)H01L23/48(2006.01)H01L29/78(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图12页(54)发明名称半导体结构及其制作方法(57)摘要本申请涉及一种半导体结构及其制作方法。其中半导体结构的制作方法，包括：提供基片，基片包括半导体衬底、栅极结构以及介质层，半导体衬底内形成有漏区以及源区，栅极结构位于源区与漏区之间，介质层覆盖栅极结构以及半导体衬底；于基片内形成接触孔，接触孔贯穿介质层至源区和/或漏区；至少于接触孔内形成半导体连接结构，并形成接触并覆盖半导体连接结构表面的接触结构；于接触结构上形成导电结构。本申请可以降低接触结构形成时产生的应力对器件性能造成的影响。CN115881542ACN115881542A权利要求书1/2页1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基片，所述基片包括半导体衬底、栅极结构以及介质层，所述半导体衬底内形成有漏区以及源区，所述栅极结构位于所述源区与所述漏区之间，所述介质层覆盖所述栅极结构以及所述半导体衬底；于所述基片内形成接触孔，所述接触孔贯穿所述介质层至所述源区和/或所述漏区；至少于所述接触孔内形成半导体连接结构，并形成接触并覆盖所述半导体连接结构表面的接触结构；于所述接触结构上形成导电结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在垂直于所述接触孔延伸方向的方向上，所述接触结构穿越所述接触孔所在区域的内外。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述至少于所述接触孔内形成半导体连接结构，并形成接触所述半导体连接结构表面的接触结构，包括：于所述接触孔内以及所述介质层表面形成所述半导体连接结构，并于所述半导体连接结构表面形成所述接触结构。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体连接结构包括第一连接结构与第二连接结构，所述于所述接触孔内以及所述介质层表面形成半导体连接结构，并于所述半导体连接结构表面形成接触结构，包括：于所述接触孔内部外延生长所述第一连接结构；于所述第一连接结构表面以及所述介质层表面形成第二连接材料层；于所述第二连接材料层表面形成接触材料层；通过热处理，使所述接触材料层与部分所述第二连接材料层反应以形成所述接触结构，剩余的所述第二连接材料层构成所述第二连接结构。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述接触孔内部外延生长所述第一连接结构，包括：基于所述接触孔底部的所述半导体衬底，外延生长第一连接材料层，直至所述第一连接材料层填满并超出所述接触孔；基于所述接触孔两侧的所述介质层，对于所述第一连接材料层进行化学机械研磨，去除所述接触孔外部的所述第一连接材料层，剩余的所述第一连接材料层构成所述第一连接结构。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二连接材料层的厚度为所述第一连接结构的厚度的10％至50％。7.根据权利要求4‑6任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述第一连接结构表面以及所述介质层表面形成第二连接材料层，包括：通过化学气相沉积方法，于所述第一连接结构表面以及所述介质层表面形成第二连接材料层。8.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述通过热处理，使所述接触材料层与部分所述第二连接材料层反应以形成所述接触结构，剩余的所述第二连接材料层构成所述第二连接结构之后，还包括：去除剩余的所述接触材料层。2CN115881542A权利要求书2/2页9.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述导电结构包括阻挡层与导电层，所述于所述接触结构上形成导电结构，包括：于所述接触结构表面形成阻挡层；于所述阻挡层表面形成导电层。10.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述接触孔内以及所述介质层表面形成半导体连接结构，并于所述半导体连接结构表面形成接触结构，包括：基于所述接触孔底部的所述半导体衬底，外延生长半导体连接材料层，直至所述半导体连接材料层填满所述接触孔并覆盖所述介质层表面；对于所述半导体连接材料层进行平坦化，去除所述接触孔外部的部分所述半导体连接材料层，剩余的所述半导体连接材料层构成所述半导体