发光装置及发光装置的制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881874A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211192194.0H01L33/62(2010.01)(22)申请日2022.09.28H01L25/075(2006.01)(30)优先权数据2021-1591752021.09.29JP2022-1346252022.08.26JP(71)申请人日亚化学工业株式会社地址日本德岛县(72)发明人楠瀬健田村和也岸川大介山井拓也多田孝昭小关健司(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105专利代理师孙杰(51)Int.Cl.H01L33/60(2010.01)H01L33/48(2010.01)权利要求书2页说明书19页附图12页(54)发明名称发光装置及发光装置的制造方法(57)摘要本发明提供具备耐热性高的光反射性部件的发光装置及制造该发光装置的方法。发光装置包含发光元件和反射从上述发光元件射出的光的光反射性部件，上述光反射性部件包含板状的光反射构件、二氧化硅、及碱金属，上述光反射构件的平均粒径为0.6μm以上43μm以下，上述光反射构件的平均宽厚比为10以上。CN115881874ACN115881874A权利要求书1/2页1.一种发光装置，其包含：发光元件；光反射性部件，其反射从所述发光元件射出的光，所述光反射性部件包含板状的光反射构件、二氧化硅、及碱金属，所述光反射构件的平均粒径为0.6μm以上43μm以下，所述光反射构件的平均宽厚比为10以上。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，还包含基体，所述发光元件及所述光反射性部件配置在所述基体上，所述发光元件包含半导体层，所述半导体层的侧面的至少一部分与所述光反射性部件分隔。3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述基体具有规定凹部的底部和壁部，所述发光元件配置于所述凹部内，所述光反射性部件连续配置于所述壁部的内侧面及底部的上表面。4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，在俯视时，所述壁部的内周形状为矩形，所述光反射性部件相互分隔地配置于所述矩形的4个角部。5.根据权利要求3或4所述的发光装置，其中，在俯视时，所述发光元件的外周形状为矩形，所述壁部的外周形状为矩形，所述发光元件的矩形的4边分别与所述壁部的矩形的4边均不平行。6.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述光反射性部件为包围所述发光元件的框部件。7.根据权利要求3～6中任一项所述的发光装置，其中，在所述基体和所述光反射性部件之间配置有第一保护膜。8.根据权利要求2～7中任一项所述的发光装置，其中，在所述光反射性部件的表面上配置有第二保护膜。9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述光反射性部件是配置所述发光元件的基板，所述发光元件包含半导体层，所述半导体层的侧面的至少一部分与所述光反射性部件分隔。10.根据权利要求1～9中任一项所述的发光装置，其中，所述光反射构件为氮化硼，所述光反射构件的平均粒径为6μm以上43μm以下。11.根据权利要求1～9中任一项所述的发光装置，其中，所述光反射构件为氧化铝，2CN115881874A权利要求书2/2页所述光反射构件的平均粒径为0.6μm以上10μm以下。12.根据权利要求1～11中任一项所述的发光装置，其中，所述碱金属为钾或钠。13.根据权利要求1～12中任一项所述的发光装置，其中，所述光反射性部件包含散射构件。14.根据权利要求13所述的发光装置，其中，所述散射构件主要为氧化锆或二氧化钛。15.根据权利要求1～14中任一项所述的发光装置，其中，所述发光元件射出紫外光。16.一种发光装置的制造方法，包含：准备具有规定凹部的底部和壁部的基体的工序；在所述凹部内配置包含基板和半导体层的发光元件的工序；将二氧化硅的粉末、平均粒径为0.6μm以上43μm以下且平均宽厚比为10以上的板状的光反射构件的粉末、碱性溶液、以及气化性的物质混合，形成混合物的工序；在所述凹部内，与所述半导体层的侧面分隔地配置所述混合物的工序；通过加热所述混合物使其固化而形成光反射性部件的工序。3CN115881874A说明书1/19页发光装置及发光装置的制造方法技术领域[0001]本公开涉及发光装置及发光装置的制造方法的制造方法。背景技术[0002]在LED等发光装置中，具有发光元件和反射发光元件的光的光反射性部件。例如，在专利文献1中，作为光反射性部件，公开有在硅树脂等耐热性树脂或无机粘合剂的基材中含有包含二氧化钛、氧化锌、氧化钽、氧化铌、氧化锆、氧化铝等白色颜料的反射构件的部件。[0003]现有技术文献[0004]专利文献[0005]专利文献1：日本特开2014－216416号公报发明内容[0006]发明所要解决的问题[0007]但是，近年来，发光装置