发光装置以及发光装置的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102460740A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102460740A(43)申请公布日2012.05.16(21)申请号201080026000.9(51)Int.Cl.(22)申请日2010.06.17H01L33/02(2006.01)H01L33/28(2006.01)(30)优先权数据H01S5/323(2006.01)2009-1467602009.06.19JP(85)PCT申请进入国家阶段日2011.12.12(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2010/0040502010.06.17(87)PCT申请的公布数据WO2010/146865JA2010.12.23(71)申请人住友化学株式会社地址日本国东京都(72)发明人秦雅彦佐泽洋幸山中贞则(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人蒋亭权利要求书权利要求书3页3页说明书说明书1212页页附图附图1010页(54)发明名称发光装置以及发光装置的制造方法(57)摘要本发明提供一种发光装置，具备包含硅的基底基板、与基底基板接触而形成的多个种晶体、与分别对应的种晶体晶格匹配或者准晶格匹配的多个3-5族化合物半导体，其中，在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有根据供给的电流来发光的发光元件，在形成了多个3-5族化合物半导体中的发光元件的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有限制供给至所述发光元件的电流的电流限制元件。CN102467ACN102460740A权利要求书1/3页1.一种发光装置，具备：包含硅的基底基板，与所述基底基板接触而形成的多个种晶体，以及与分别对应的种晶体晶格匹配或者准晶格匹配的多个3-5族化合物半导体；其中，在所述多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有根据被供给的电流而发光的发光元件；在所述多个3-5族化合物半导体中的形成有所述发光元件的3-5族化合物半导体以外的至少一个3-5族化合物半导体中，形成有用于限制供给至所述发光元件的电流的电流限制元件。2.根据权利要求1所述的发光装置，还具备阻挡体，该阻挡体形成在所述基底基板的上方，具有露出所述基底基板的至少一部分区域的多个开口，且阻挡结晶生长，所述多个种晶体形成在所述多个开口的内部。3.根据权利要求1所述的发光装置，所述多个种晶体的组成是Cx1Siy1Gez1Sn1-x1-y1-z1，其中，0≤x1＜1、0≤y1≤1、0≤z1≤1、且0＜x1+y1+z1≤1。4.根据权利要求3所述的发光装置，在所述基底基板内包含组成为Cx2Siy2Gez2Sn1-x2-y2-z2的界面区域，其与所述基底基板和所述种晶体的界面相接，Cx2Siy2Gez2Sn1-x2-y2-z2中，0≤x2＜1、0＜y2≤1、0≤z2≤1、且0＜x2+y2+z2≤1，所述种晶体中的x1与所述区域中的x2是x1＞x2的关系，所述种晶体中的y1与所述区域中的y2是y1＜y2的关系，所述种晶体中的z1与所述区域中的z2是z1＞z2的关系，所述种晶体中的(1-x1-y1-z1)与所述区域中的(1-x2-y2-z2)是(1-x1-y1-z1)＞(1-x2-y2-z2)的关系。5.根据权利要求1所述的发光装置，所述基底基板具有与所述多个种晶体接触的势阱区域，所述发光元件经由所述多个种晶体以及所述势阱区域与所述电流限制元件电结合。6.根据权利要求1所述的发光装置，所述电流限制元件是限制供给至所述发光元件的电流的电阻元件。7.根据权利要求6所述的发光装置，所述电阻元件包含捕获载流子的载流子陷阱。8.根据权利要求1所述的发光装置，所述电流限制元件是切换供给至所述发光元件的电流的晶闸管。9.根据权利要求8所述的发光装置，所述晶闸管包含依次层叠P型半导体、N型半导体、P型半导体、以及N型半导体而成的层叠体。10.根据权利要求1所述的发光装置，所述硅具有与接触于所述多个种晶体的所述多个3-5族化合物半导体的传导型相同2CN102460740A权利要求书2/3页的传导型。11.根据权利要求1所述的发光装置，还具备硅元件，该硅元件形成在所述基底基板的包含所述硅的区域，所述硅元件向所述发光元件供给电流。12.根据权利要求2所述的发光装置，在所述阻挡体中等间隔地排列有所述多个开口。13.一种发光装置的制造方法，具备如下步骤：与表面为硅的基底基板接触而形成多个种晶体；使与分别对应的种晶体晶格匹配或者准晶格匹配的多个3-5族化合物半导体结晶生长；在所述多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成根据供给的电流来发光的发光元件；以及在所述多个3-5族化合物半导体中的形成有所述发光元件的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体，形成控制供给