制冷红外探测器芯片及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881831A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211528237.8(22)申请日2022.11.30(71)申请人武汉高芯科技有限公司地址430205湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼(72)发明人黄晟黄立张学文姚柏文戴俊碧杜侨易贤骆鲁斌崔钦音邓茜(74)专利代理机构北京汇泽知识产权代理有限公司11228专利代理师张小丽(51)Int.Cl.H01L31/0203(2014.01)H01L27/146(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称制冷红外探测器芯片及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种制冷红外探测器芯片，包括红外光敏层和读出电路，所述红外光敏层和所述读出电路通过互连结构电连接，还包括围设于所述互连结构外部的围墙，所述红外光敏层和所述读出电路之间填充有固定材料，所述固定材料位于所述围墙外部。还提供一种制冷红外探测器芯片的制备方法。本发明通过围墙实现了对原本需要进行填充的有效像元区域的封锁，保证填充胶无法进入到有效像元区域中，可以使有效像元区域都是无填充状态，那么在成像时，像元区域不会因填充材料不饱满导致对应区域响应不均匀。而外围的填充胶经过固化后既可以对整个红外芯片结构起到加固又能对有效像元区域达到保护的效果。CN115881831ACN115881831A权利要求书1/1页1.一种制冷红外探测器芯片，包括红外光敏层和读出电路，所述红外光敏层和所述读出电路通过互连结构电连接，其特征在于：还包括围设于所述互连结构外部的围墙，所述红外光敏层和所述读出电路之间填充有固定材料，所述固定材料位于所述围墙外部。2.如权利要求1所述的制冷红外探测器芯片，其特征在于：所述红外光敏层和所述读出电路叠层设置，所述围墙设在所述红外光敏层上，且向所述读出电路方向延伸至抵接所述读出电路。3.如权利要求1所述的制冷红外探测器芯片，其特征在于：所述围墙的形状与所述互连结构的外围形状一致。4.如权利要求1所述的制冷红外探测器芯片，其特征在于：所述围墙的厚度为30～60微米。5.如权利要求1所述的制冷红外探测器芯片，其特征在于：所述围墙为铟围墙。6.如权利要求1所述的制冷红外探测器芯片，其特征在于：所述互连结构包括连接所述红外光敏层的各光敏元与所述读出电路的多个互连结构单元，所述互连结构单元为铟柱。7.如权利要求1所述的制冷红外探测器芯片，其特征在于：所述固定材料为填充胶。8.如权利要求1所述的制冷红外探测器芯片，其特征在于：所述固定材料于所述围墙的四周填满于所述红外光敏层和所述读出电路之间。9.一种制冷红外探测器芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，在红外光敏层和/或读出电路的表面制作互连结构以及围设于所述互连结构外部的围墙；S2，将所述红外光敏层和所述读出电路进行倒装对准；S3，于所述围墙外部向所述红外光敏层和所述读出电路的间隙中填充固定材料，此时的固定材料呈流体状；S4，待所述固定材料流动至完全合围在所述围墙的外侧时，对所述固定材料进行固化。10.如权利要求9所述的制冷红外芯片的制备方法，其特征在于：在填充所述固定材料的过程中对所述固定材料进行加热，使所述固定材料充分流动均匀平铺在所述围墙四周。2CN115881831A说明书1/3页制冷红外探测器芯片及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及红外芯片技术领域，具体为一种制冷红外探测器芯片及其制备方法。背景技术[0002]制冷红外芯片是通过读出电路和红外光敏元的铟柱互连而组装成的芯片，并且以填充胶使读出电路与红外光敏元之间的缝隙填满。随着红外焦平面制冷红外探测器的发展，面阵越来越大，像元间距越来越小，填充胶粘度难以进一步变小，仅依靠毛细填充而达到填充饱满会愈发的困难。底部填充不饱满会导致对应的局部区域响应不均匀，从而影响了整个探测器的成像画质。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种制冷红外探测器芯片及其制备方法，至少可以解决现有技术中的部分缺陷。[0004]为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：一种制冷红外芯片，包括红外光敏层和读出电路，所述红外光敏层和所述读出电路通过互连结构电连接，还包括围设于所述互连结构外部的围墙，所述红外光敏层和所述读出电路之间填充有固定材料，所述固定材料位于所述围墙外部。[0005]进一步，所述红外光敏层和所述读出电路叠层设置，所述围墙设在所述红外光敏层上，且向所述读出电路方向延伸至抵接所述读出电路。[0006]进一步，所述围墙的形状与所述互连结构的外围形状一致。[0007]进一步，所述围墙的厚度为30～60微米。[0008]进一步，所述围墙为铟围墙。[0009]进一步，所述互连结构