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本发明涉及一种B4C表面原位生成SiC晶须的复合陶瓷粉体及制备方法。技术方案是:按催化剂∶溶剂的质量比为1∶(10~100),将催化剂溶于溶剂,得A溶液。按碳化硼粉体中的B4C∶A溶液中的催化剂所含金属元素的摩尔比为1∶(0.01~0.5),将碳化硼粉体加到A溶液中,超声分散,搅拌,得B溶液,干燥,得A粉体。按A粉体∶硅微粉的质量比为(1~100)∶1配料,混合,得B粉体。将B粉体压制成生坯,于1100~1800℃和惰性气体的条件下保温1~6h,得碳化硼复合陶瓷块。将碳化硼复合陶瓷块破碎,研磨,筛分,制得B4C表面原位生成SiC晶须的复合陶瓷粉体。本发明工艺简单、生产周期短、SiC晶须的生成量可控、产量高和无环境污染,所制制品力学性能好。