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一种基于图像处理的线锯切割单晶硅片全表面线粗糙度预测方法.pdf

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本发明公开一种基于图像处理的线锯切割单晶硅片全表面线粗糙度预测方法,步骤为:1)建立单晶硅片全表面线粗糙度与凹坑宽度之间的数学关系模型;所述凹坑是去除单晶硅片横向裂纹上方材料后形成的;2)获取单晶硅片的微观表面形貌,提取单晶硅片所有凹坑宽度,并输入到单晶硅片全表面线粗糙度与凹坑宽度之间的数学关系模型中,得到单晶硅片全表面线粗糙度。本发明只需通过获得同批次单晶硅片的微观形貌,就能准确预测出硅片的全表面线粗糙度,大大缩短了人工测量的时间。