一种基于图像处理的线锯切割单晶硅片全表面线粗糙度预测方法.pdf
淑然****by
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一种基于图像处理的线锯切割单晶硅片全表面线粗糙度预测方法.pdf
本发明公开一种基于图像处理的线锯切割单晶硅片全表面线粗糙度预测方法,步骤为:1)建立单晶硅片全表面线粗糙度与凹坑宽度之间的数学关系模型;所述凹坑是去除单晶硅片横向裂纹上方材料后形成的;2)获取单晶硅片的微观表面形貌,提取单晶硅片所有凹坑宽度,并输入到单晶硅片全表面线粗糙度与凹坑宽度之间的数学关系模型中,得到单晶硅片全表面线粗糙度。本发明只需通过获得同批次单晶硅片的微观形貌,就能准确预测出硅片的全表面线粗糙度,大大缩短了人工测量的时间。
一种基于图像处理的线锯切割单晶硅片全表面线粗糙度预测方法.pdf
本发明公开一种基于图像处理的线锯切割单晶硅片全表面线粗糙度预测方法,步骤为:1)建立单晶硅片全表面线粗糙度与凹坑宽度之间的数学关系模型;所述凹坑是去除单晶硅片横向裂纹上方材料后形成的;2)获取单晶硅片的微观表面形貌,提取单晶硅片所有凹坑宽度,并输入到单晶硅片全表面线粗糙度与凹坑宽度之间的数学关系模型中,得到单晶硅片全表面线粗糙度。本发明只需通过获得同批次单晶硅片的微观形貌,就能准确预测出硅片的全表面线粗糙度,大大缩短了人工测量的时间。
一种金刚石线锯切割硅片的表面相变处理方法.pdf
一种金刚石线锯切割硅片的表面相变处理方法,包括单晶硅片与多晶硅片,其特征是将金刚石线锯切割硅片在氮‑氢或氩‑氢混合气氛中以≥30℃/min的速率加热到600~1100℃温度,保温0.5~3小时,然后随炉降温至炉。本发明可使金刚石线锯切割硅片适合于常规湿法制绒,制绒后多晶硅片表面光反射率降低到19~21%水平,如表1所示;所得多晶硅绒面微观形貌均匀、圆整,切割纹痕消除,如图1所示;制绒后单晶硅表面光反射率降低到11~12%水平,所得单晶硅绒面微观形貌发布均匀。本方法过程简单易行,成本低廉,适合于规模化生产应
一种太阳能硅片线锯切割机.pdf
本发明公开了一种太阳能硅片线锯切割机,包括支撑装置和安装于支撑装置上的切割装置;所述支撑装置包括支撑底板和垂直固定于支撑底板下表面的支撑侧板,所述支撑底板的表面贯穿固定有第一螺纹杆,所述第一螺纹杆的表面固定有第一齿轮,所述支撑底板的下表面固定有轴杆,所述轴杆的表面固定有第二齿轮;所述切割装置包括滑动框架和安装于滑动框架上的联动装置;所述滑动框架包括滑动板和垂直固定于滑动板上表面的侧板和挡板。本发明的线锯切割机结构简单、易于操作,可以根据钢丝的宽度和所切割太阳能硅片的宽度进行调节,节约了切削液浆料,提高了太
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本发明公开了一种太阳能硅片线锯切割机,包括支撑装置、切割装置和切削液装置,切割装置安装于支撑装置上,切削液装置安装于切割装置上;支撑装置的支撑底板的上表面开有条形限位槽,固定有第一安装板,第一安装板上安装有螺纹杆;切割装置包括两块相对设置于支撑底板上表面的第二安装板,第二安装板上固定有第一齿轮、两个第二齿轮两个扇形齿轮;切削液装置包括第一切削液管和第二切削液管,第二切削液管套设于第一切削液管上。本发明能够根据所切割太阳能硅片的宽度,可同时实现切割线宽度与切削液喷淋宽度的调节,简单、便捷;通过切割线宽度和切