一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置.pdf

本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域,具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置,包括支撑系统和石英安瓿瓶,石英安瓿瓶放置于支撑系统上,所述支撑系统包括外保温层,所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层,所述第一控温层和第二控温层上分别设置有三个间隔120゜阵列分布矩形孔,所述第一控温层上的矩形孔和第二控温层上的6个矩形孔错位按间隔60゜阵列分布,第一控温层与外保温层顶部之间的距离L和第二控温层与外保温层底部之间的距离L相等,且外保温层的外径D与L之间的比例系数为1.5,改进后的保温和散热装置能生长大尺寸、低位错的晶体。