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本申请公开了一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法。所述AlGaN基紫外LED外延结构包括沿一指定方向依次设置的N型AlbGa1?bN层、多量子阱有源区、P型AlcGa1?cN电子阻挡层和P型GaN接触层;所述多量子阱有源区包括交替生长的多个AlxGa1?xN量子阱层和多个AlyGa1?yN量子垒层,其中在所述指定方向上的最后一个AlxGa1?xN量子阱层掺杂有Si,其中0<(x、y)≤1。较之现有技术,本申请AlGaN基紫外LED外延结构的光输出功率有显著提升。