AlGaN基深紫外LED的外延生长及光电性能研究.pptx
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AlGaN基深紫外LED的外延生长及光电性能研究目录添加目录项标题AlGaN基深紫外LED的外延生长技术生长原理及方法材料的晶体质量与结构生长过程中的关键参数控制外延生长技术的发展趋势AlGaN基深紫外LED的光电性能研究光电转换机制与发光原理光学性能的表征与优化电学性能的表征与优化光电性能的稳定性研究AlGaN基深紫外LED的应用前景与挑战在医疗、环保等领域的应用前景在照明、显示等领域的应用前景面临的挑战与技术瓶颈未来发展方向与展望感谢观看
AlGaN基紫外LED外延结构及其光学性能研究.docx
AlGaN基紫外LED外延结构及其光学性能研究摘要:随着人们对紫外LED技术的深入认识和需求的增加,AlGaN基紫外LED作为一种高亮度、高效率的发光器件,引起了广泛关注。本文通过研究AlGaN基紫外LED的外延结构和光学性能,探讨了其优化方法,为其性能提升和实际应用提供了理论指导。引言:紫外光具有非常广泛的应用领域,包括消毒、光敏化学、污染监测等。而AlGaN基紫外LED具有发光波长短、寿命长、耐高温等优点,被认为是实现紫外光应用的重要光源。因此,对AlGaN基紫外LED的外延结构和光学性能进行深入研究
AlGaN基紫外LED外延结构、LED及其制备方法.pdf
本发明涉及半导体技术领域,具体公开一种AlGaN基紫外LED外延结构、LED及其制备方法,该外延结构包括衬底及外延层,所述外延层包括沿外延方向依次生长的N型半导体层、低温应力释放层、有源区发光层、电子阻挡层、p型渐变AlGaN空穴注入层及p型接触层;所述p型渐变AlGaN空穴注入层的Al组分含量沿外延方向递减,且所述p型渐变AlGaN空穴注入层掺杂有Mg,其中,Mg的掺杂浓度沿外延方向递增;所述p型接触层为低掺杂Al、高掺杂Mg的Al
AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法.pdf
本申请公开了一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法。所述AlGaN基紫外LED外延结构包括沿一指定方向依次设置的N型Al<base:Sub>b</base:Sub>Ga<base:Sub>1?b</base:Sub>N层、多量子阱有源区、P型Al<base:Sub>c</base:Sub>Ga<base:Sub>1?c</base:Sub>N电子阻挡层和P型GaN接触层;所述多量子阱有源区包括交替生长的多个Al<base:Sub>x</base:Sub>Ga<base:Sub>1?x</base:
AlGaN基紫外LED效率提升研究.docx
AlGaN基紫外LED效率提升研究摘要AlGaN基紫外LED是一种新型的高效、高亮度紫外光源,具有广泛的应用前景。本文从材料结构和制备工艺,分析了影响AlGaN基紫外LED效率的因素,并提出了一些提高其效率的方法,如优化外延结构,改善界面质量,使用较佳的衬底材料等。通过这些方法的应用,AlGaN基紫外LED的效率有望得到较大提升。关键词:AlGaN,紫外LED,效率,外延结构,衬底材料引言近年来,随着LED技术的不断发展,紫外LED也逐渐成为了研究热点。由于其具有紫外光照射下的独特特性,广泛应用于洁净室、