一种基于终点检测的SOI衬底刻蚀方法.pdf
傲丝****账号
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
一种基于终点检测的SOI衬底刻蚀方法.pdf
本发明提供一种基于终点检测的SOI衬底刻蚀方法,其包括:采用刻蚀气体对顶层硅进行刻蚀;在刻蚀过程中,通过刻蚀腔体内的分光光度计检测对应于反应产物的光发射谱的强度来判断反应产物的浓度;当顶层硅被刻蚀完毕刻蚀气体接触到下层掩埋氧化层时,反应产物的浓度会迅速降低;当反应物浓度降低到某一设定值时刻蚀过程自动停止;选用适当比例的混合气体过刻蚀适当时间,保证浅槽隔离底部无硅残留并对底部拐角处进行平滑处理。本发明的方法当刻蚀气体接触到下层掩埋氧化层时,主刻蚀过程及时停止,避免了对SOI的侧向过刻蚀。对于不同顶层硅厚度的
一种基于SOI衬底的TSV圆片的加工方法.pdf
本发明公开了一种基于SOI衬底的TSV圆片的加工方法,该方法包括如下步骤:选择底硅层厚度大于等于TSV圆片厚度的SOI圆片,并将SOI圆片的底硅层厚度减到TSV圆片厚度;在SOI圆片底硅层表面光刻出所需的TSV盲孔图形;并沿光刻出的TSV盲孔图形刻蚀出TSV盲孔至SOI圆片的氧埋层停止;在SOI圆片底硅层表面依次淀积绝缘层、阻挡层和种子层,在淀积后的表面和TSV盲孔的内壁电镀一层金属铜,形成TSV互连;去除SOI圆片顶硅层;在去除了顶硅层后剩下的氧埋层表面光刻出TSV通孔图形,并沿TSV通孔图形刻蚀出TS
衬底沟槽刻蚀方法.pdf
本发明公开了一种衬底沟槽刻蚀方法,包括:在衬底表面形成侧壁倾斜的凹槽;在凹槽的内表面形成保护层;去除凹槽中央区域的保护层,并保留凹槽边缘倾斜侧壁上的保护层;刻蚀衬底,在衬底中形成设定深度的沟槽,同时去除凹槽边缘倾斜侧壁上的保护层并在沟槽顶部边缘形成圆化顶角形貌。本发明能够获得理想的圆化硅顶角形貌,减轻后续介质填充后由于尖锐顶角造成的漏电风险。
复合衬底的刻蚀方法.pdf
本申请提供一种复合衬底的刻蚀方法,复合衬底包括蓝宝石层和设置在蓝宝石层上的二氧化硅层,该方法包括:第一主刻蚀步骤,采用掩膜刻蚀气体和二氧化硅刻蚀气体对二氧化硅层及其上的掩膜层进行刻蚀,获得二氧化硅基础图形及位于其上的残留掩膜图形;第二主刻蚀步骤,采用二氧化硅刻蚀气体对二氧化硅基础图形和残留掩膜图形进行刻蚀,去除残留掩膜图形,获得二氧化硅残留层及位于其上的二氧化硅目标图形;过刻蚀步骤,采用氧化硅对蓝宝石的选择比大于预设阈值的刻蚀气体继续刻蚀,去除二氧化硅残留层,获得二氧化硅目标图形。应用本申请,可以避免对蓝
GaN器件SiC衬底刻蚀方法.pdf
本发明提供了一种GaN器件SiC衬底刻蚀方法,包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面,在所述衬底的第一表面上形成有半导体器件层;通过激光刻蚀对所述衬底的第二表面进行刻蚀,并在所述衬底的第二表面形成盲孔;通过干法刻蚀对所述盲孔进行刻蚀,使所述盲孔贯通至所述半导体器件层远离所述衬底的表面。本发明通过采用激光刻蚀对SiC等衬底进行刻蚀,刻蚀过程稳定性好,可重复性高,避免了采用Ni等金属掩膜进行干法刻蚀所产生的沉积物;省去了制作光刻版的成本,简化了工艺复杂度和工艺时间;激光刻蚀过程不会