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半导体器件第12章图形曝光与光刻.ppt

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第12章图形曝光与光刻概述光学图形曝光光刻机掩模版缺陷密度是掩模版好坏的主要原因之一。掩模版缺陷可能在制造掩模版或是接下来的图形曝光工艺步骤中产生。抗蚀剂分辨率增加技术新一代图形曝光技术电子束图形曝光邻近效应极远紫外光图形曝光(EUV)X射线图形曝光(XRL)离子束图形曝光不同图形曝光方法的比较湿法化学腐蚀(WCE)干法刻蚀基本等离子体理论课堂小结Thanksfor Listening！