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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108763144A(43)申请公布日2018.11.06(21)申请号201810275500.4(22)申请日2018.03.30(71)申请人北京计算机技术及应用研究所地址100854北京市海淀区永定路51号(72)发明人曲新春王欣伟杨博习亮万星宋峙峰(74)专利代理机构中国兵器工业集团公司专利中心11011代理人张然(51)Int.Cl.G06F15/78(2006.01)G06F13/40(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种集成四核DSP及1553B总线控制器的SIP封装电路(57)摘要本发明公开了一种集成四核DSP及1553B总线控制器的SIP封装电路,其中,包括:1553B收发器、用户I/O、配置PROM、ADC、总线驱动、FPGA、JTAG总线、FLASH、四核DSP、EMIF总线和SRAM;FPGA与四核DSP通过EMIF总线双向连接,FPGA与四核DSP通过EMIF总线双向连接,FPGA与四核DSP连接,FLASH通过EMIF总线双向连接FPGA和四核DSP,SRAM通过EMIF总线双向连接FPGA和四核DSP,1553B收发器和FPGA双向连接,配置PROM和FPGA双向连接,ADC和总线驱动单向互联,FPGA和总线驱动单向互联。本发明可在有限空间内集成多种元件裸片,有效减小计算控制器的体积和重量。CN108763144ACN108763144A权利要求书1/1页1.一种集成四核DSP及1553B总线控制器的SIP封装电路,其特征在于,包括:1553B收发器、用户I/O、配置PROM、ADC、总线驱动、FPGA、JTAG总线、FLASH、四核DSP、EMIF总线和SRAM;FPGA与四核DSP通过EMIF总线双向连接,FPGA与四核DSP通过EMIF总线双向连接,FPGA与四核DSP连接,FLASH通过EMIF总线双向连接FPGA和四核DSP,SRAM通过EMIF总线双向连接FPGA和四核DSP,1553B收发器和FPGA双向连接,配置PROM和FPGA双向连接,ADC和总线驱动单向互联,FPGA和总线驱动单向互联。2.如权利要求1所述的集成四核DSP及1553B总线控制器的SIP封装电路,其特征在于,FPGA读取配置PROM中存储的固件程序,并执行相应启动程序完成内部I/O分配、1553B控制器配置、JTAG控制器配置。3.如权利要求1所述的集成四核DSP及1553B总线控制器的SIP封装电路,其特征在于,四核DSP读取FLASH中存储的固件程序,并执行相应的启动程序完成配置。4.如权利要求1所述的集成四核DSP及1553B总线控制器的SIP封装电路,其特征在于,553B收发器、用户I/O、配置PROM、ADC、总线驱动、FPGA、JTAG总线、FLASH、四核DSP、EMIF总线和SRAM通过系统级封装集成于封装内。5.如权利要求4所述的集成四核DSP及1553B总线控制器的SIP封装电路,其特征在于,封装尺寸为40mm×40mm×7mm。6.如权利要求1所述的集成四核DSP及1553B总线控制器的SIP封装电路,其特征在于,1553B收发器为两个。7.如权利要求1所述的集成四核DSP及1553B总线控制器的SIP封装电路,其特征在于,ADC和总线驱动A单向互联,ADC和总线驱动B单向互联,FPGA和总线驱动A单向互联,FPGA和总线驱动B单向互联。8.如权利要求1所述的集成四核DSP及1553B总线控制器的SIP封装电路,其特征在于,EMIF总线包括:AEMIF总线A以及AEMIF总线B;FPGA与DSP通过EMIF总线A双向连接,FPGA与DSP通过EMIF总线B双向连接,FLASH通过EMIF总线A与FPGA和DSP双向连接,SRAM通过EMIF总线B与FPGA和SP双向连接。9.如权利要求1所述的集成四核DSP及1553B总线控制器的SIP封装电路,其特征在于,FPGA与四核DSP通过HPI总线双向连接。2CN108763144A说明书1/3页一种集成四核DSP及1553B总线控制器的SIP封装电路技术领域[0001]本发明涉及一种SiP封装电路,特别是一种集成四核DSP、FPGA及4M1553B总线控制器的高速大容量SIP封装电路。背景技术[0002]当前航空航天系统、先进制造设备等诸多高精尖领域,对于高性能、高可靠、小型化器件的需求日趋强烈,特别是飞行器控制、雷达、电子对抗等细分领域,要求元器件具备高可靠、高性能、小型化等特点。现阶段通常采用SoC和SiP等技术满足以上要求,但由于部分高性能元器件产品长期处于国外技术封锁和产品禁运状态,高性能电子元器件核心技术长期处于受制于人的处