埋入式滤波器和射频前端模组的封装结构及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881654A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202310046405.8H01L21/56(2006.01)(22)申请日2023.01.31H01L21/60(2006.01)H01L25/16(2023.01)(71)申请人深圳新声半导体有限公司H03H9/10(2006.01)地址518049广东省深圳市福田区梅林街H03H3/007(2006.01)道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801(72)发明人请求不公布姓名(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227专利代理师李伟(51)Int.Cl.H01L23/31(2006.01)H01L23/13(2006.01)H01L23/488(2006.01)H01L21/52(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称埋入式滤波器和射频前端模组的封装结构及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种埋入式滤波器和射频前端模组的封装结构及其制备方法，该封装结构包括：封装基板，所述封装基板包括多个凹槽；位于所述凹槽内的第一倒装芯片；位于所述凹槽上方的第二倒装芯片，从而使得第二倒装芯片位于第一倒装芯片的上方；另外，在第一方向上所述第一倒装芯片的第一表面与所述第二倒装芯片的第一表面之间具有间隔；第一倒装芯片的第一表面为第一倒装芯片面向第二倒装芯片的表面，第二倒装芯片的第一表面为第二倒装芯片面向凹槽的表面，所述第一方向垂直于所述封装基板所在平面，从而获得的封装结构可以在两个倒装芯片间形成空腔结构，不需要对单个芯片做预先的晶圆级封装，可以显著缩小封装尺寸和封装制造成本。CN115881654ACN115881654A权利要求书1/2页1.一种埋入式滤波器和射频前端模组的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：封装基板，所述封装基板包括多个凹槽；位于所述凹槽内的第一倒装芯片；位于所述凹槽上方的第二倒装芯片；其中，在第一方向上所述第一倒装芯片的第一表面与所述第二倒装芯片的第一表面之间具有间隔；所述第一倒装芯片的第一表面为所述第一倒装芯片面向所述第二倒装芯片的表面，所述第二倒装芯片的第一表面为所述第二倒装芯片面向所述凹槽的表面，所述第一方向垂直于所述封装基板所在平面。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：位于所述凹槽底部的多个第一焊盘；其中，所述第一倒装芯片位于所述第一焊盘的上方，所述第一倒装芯片包括位于所述第一倒装芯片的第二表面的多个第一焊接凸点，所述第一倒装芯片通过所述第一焊接凸点与所述第一焊盘连接，所述第一倒装芯片的第二表面为所述第一倒装芯片面向所述第一焊盘的表面。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：位于所述封装基板设置有所述凹槽的一侧，且靠近所述凹槽的边缘区域的多个第二焊盘；其中，所述第二倒装芯片位于所述第二焊盘的上方，所述第二倒装芯片包括位于所述第二倒装芯片的第一表面的多个第二焊接凸点，所述第二倒装芯片通过所述第二焊接凸点与所述第二焊盘连接。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第一封装膜层，所述第一封装膜层与所述封装基板构成封装腔室，所述第一倒装芯片位于所述封装腔室的内部，所述第二倒装芯片位于所述封装腔室的内部；位于所述第一封装膜层远离所述封装腔室一侧的第二封装膜层。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，在第二方向上所述第二倒装芯片的长度大于所述第一倒装芯片的长度；所述第二方向平行于所述封装基板所在平面。6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一倒装芯片的第一表面与所述凹槽底部的距离为h1，所述凹槽在所述第一方向上的深度为h2，其中h1>h2。7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一倒装芯片的第一表面与所述凹槽底部的距离为h1，所述凹槽在所述第一方向上的深度为h2，其中h1<h2。8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：位于所述封装基板设置有所述凹槽的一侧，且远离所述凹槽所在区域的多个第三焊盘；位于所述第三焊盘上方的第三倒装芯片，所述第三倒装芯片包括位于所述第三倒装芯片的第一表面的多个第三焊接凸点，所述第三倒装芯片通过所述第三焊接凸点与所述第三焊盘连接，所述第三倒装芯片的第一表面为所述第三倒装芯片面向所述封装基板一侧的表面。9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述第一倒装芯片为射频滤波器芯片2CN115881654A权利要求书2/2页或射频放大器芯片或射频开关芯片；所述第二倒装芯片为射频滤波器芯片或射频放大器芯片或射频开关芯片；所述第三倒装芯片为射频滤波器芯片或射频放大器芯片或射频开关芯片。10.