集成天线和射频前端的有机基板埋入封装结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111987088A(43)申请公布日2020.11.24(21)申请号201910437301.3(22)申请日2019.05.23(71)申请人中国科学院微电子研究所地址100029北京市朝阳区北土城西路3号(72)发明人薛梅王启东曹立强宋阳(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人任岩(51)Int.Cl.H01L25/18(2006.01)H01L23/488(2006.01)H01L23/552(2006.01)H01L23/66(2006.01)H01Q19/10(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称集成天线和射频前端的有机基板埋入封装结构(57)摘要一种集成天线和射频前端的有机基板埋入封装结构，包括：一天线模块；以及一射频前端模块，置于天线模块下方，所述射频前端模块包括：一号芯板，内部包括至少一通槽；至少一有源芯片，一侧表面为有源面，另一侧表面为背部金属，该有源芯片埋置于所述一号芯板的通槽中；一号介质层，置于一号芯板下方，与一号芯板中通槽的对应位置设置有通槽；二号芯板，置于一号介质层下方，上表面设置有多个元器件焊盘；其中，所述有源芯片有源面一侧朝下，倒装在所述二号芯板上表面元器件焊盘之上；二号介质层，置于一号芯板上方，内部穿设有多个金属化盲孔。CN111987088ACN111987088A权利要求书1/2页1.一种集成天线和射频前端的有机基板埋入封装结构，包括：一天线模块；以及一射频前端模块，置于天线模块下方，包括：一号芯板，内部包括至少一通槽；至少一有源芯片，一侧表面为有源面，另一侧表面为背部金属，该有源芯片埋置于所述一号芯板的通槽中；一号介质层，置于一号芯板下方，与一号芯板中通槽的对应位置设置有通槽；二号芯板，置于一号介质层下方，上表面设置有多个元器件焊盘和互连结构；二号介质层，置于一号芯板上方，内部穿设有多个金属化盲孔；其中，所述有源芯片有源面一侧朝下，倒装在所述二号芯板上表面元器件焊盘之上。2.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述的射频前端模块，还包括至少一表贴无源元件，所述表贴无源元件一侧有焊盘，埋置于一号芯板的通槽中，其中有焊盘一侧朝下，倒装在二号芯板上表面元器件焊盘之上。3.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述的射频前端模块，还包括至少一单层电容器，所述单层电容器埋置于一号芯板的通槽中，倒装在二号芯板上表面元器件焊盘之上。4.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述一号芯板的通槽的侧壁还镀有一号金属层，所述一号金属层与所述有源芯片间还配置一介质层。5.根据权利要求4所述的封装结构，其中所述的二号芯板上穿设有多个电磁屏蔽孔栅，与所述一号金属层构成金属屏蔽腔。6.根据权利要求3所述的封装结构，其中所述的二号芯板上穿设有多个金属化盲孔，所述的有源芯片、埋入表贴无源元件和单层电容器通过二号芯板中的金属化盲孔与外围电路互连。7.根据权利要求1所述的封装结构，所述的射频前端模块还穿设有多个金属化通孔。8.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述的天线模块，包括：至少一天线单元；一层周期性金属结构；二号金属层，与所述周期性金属结构共同作为天线反射平面。9.根据权利要求8所述的封装结构，所述有源芯片背部金属通过二号介质层的金属化盲孔与二号金属层连接。10.根据权利要求8所述的封装结构，所述单层电容器的另一个电极通过二号介质层的金属化盲孔与二号金属层连接。11.根据权利要求8所述的封装结构，其中所述的天线模块，还包括三号芯板，所述周期性金属结构电镀在其上表面；三号介质层，设置于三号芯板与二号金属层之间；四号介质层，设置于天线单元和周期性金属结构之间。12.根据权利要求8所述的封装结构，其中所述的周期性金属结构为电磁结构，在设定毫米波波段内，具有同相反射特性。13.根据权利要求8所述的封装结构，其中所述天线单元与射频前端模块垂直放置，通过金属化通孔互连，用于降低天线模块与射频前端模块间的电磁干扰。2CN111987088A权利要求书2/2页14.根据权利要求1、4、11所述的封装结构，其中所述的介质层为半固化片压合后固化而成。15.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述的二号芯板下表面还配置有多个焊球。3CN111987088A说明书1/6页集成天线和射频前端的有机基板埋入封装结构技术领域[0001]本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及了集成毫米波天线和射频前端的有机基板埋入封装结构。背景技术[0002]为了提高集成度，国际半导体技术发展路线组织提出超越摩尔定律，旨在将处理器、存储器、射频模块、数字模块、模拟模块、光电模块、传感模块等集成在单一封装体中实现系统级封装(SysteminPac