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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114143956A(43)申请公布日2022.03.04(21)申请号202111229452.3(22)申请日2021.10.21(71)申请人华为技术有限公司地址518129广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼(72)发明人吴鸣丁永欢秦俊良(74)专利代理机构深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334代理人张小丽常云敏(51)Int.Cl.H05K1/02(2006.01)H05K1/09(2006.01)H05K3/02(2006.01)权利要求书3页说明书17页附图14页(54)发明名称封装结构及其制备方法、封装模组和电子装置(57)摘要本申请提供一种封装结构,该封装结构包括导电基板、位于导电基板表面上的封装层、位于封装层中的电子元器件以及位于导电基板表面上的线路层,线路层分别与导电基板和电子元器件电性连接,导电基板和/或线路层的电阻随电流或温度的增大而增大。本申请还提供应用该封装结构的封装模组、应用该封装模组的电子装置以及该封装结构的制备方法。通过在封装结构中不同结构的电阻随电流或温度增大而增大,可在过流(过温)时提高阻抗从而降低电流,防止电子元器件烧毁,从而达到过流或过温自保护的目的。CN114143956ACN114143956A权利要求书1/3页1.一种封装结构,其特征在于,包括:导电基板;封装层,位于所述导电基板的表面上;电子元器件,位于所述封装层中;以及线路层,位于所述导电基板的表面上,所述线路层分别与所述导电基板和所述电子元器件电性连接;所述导电基板和/或所述线路层的电阻随电流或温度的增大而增大。2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述导电基板和/或所述线路层的材质包括正温度系数(PTC)材料。3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述线路层包括靠近所述电子元器件设置的第一层和设于所述第一层远离所述电子元器件的表面的第二层,所述第一层和/或所述第二层的电阻随电流或温度的增大而增大。4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括第一区和与所述第一区连接的第二区,所述电子元器件位于所述第一区,所述第二区位于所述第一区远离所述电子元器件的外边缘,所述第一区内的所述导电基板和/或所述线路层的电阻随电流或温度的增大而增大。5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述导电基板包括绝缘层和位于所述绝缘层表面的导电层,所述导电层的电阻随电流或温度的增大而增大。6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括第一导电部和第二导电部,所述第一导电部和所述第二导电部均位于所述封装层中,所述第一导电部电性连接所述线路层和所述电子元器件,所述第二导电部电性连接所述线路层和所述导电基板,所述第一导电部和/或所述第二导电部的电阻随电流或温度的增大而增大。7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括设于所述线路层远离所述电子元器件表面的多个连接垫,至少一个所述连接垫的电阻随电流或温度的增大而增大。8.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述导电基板包括一开口,所述电子元器件位于所述开口内。9.一种封装模组,其特征在于,包括封装结构、电路板以及多个连接部,所述多个连接部电性连接所述封装结构和所述电路板,所述封装结构为权利要求1至8中任一项所述的封装结构。10.根据权利要求9所述的封装模组,其特征在于,所述连接部的电阻随电流或温度的增大而增大。11.一种封装模组,其特征在于,包括:封装结构,所述封装结构包括导电基板、位于所述导电基板的表面上的封装层、位于所述封装层中的电子元器件以及位于所述导电基板的表面上的线路层;电路板;以及多个连接部,所述多个连接部电性连接所述封装结构和所述电路板,至少一个所述连接部的电阻随电流或温度的增大而增大。12.一种电子装置,其特征在于,包括如权利要求9至11中任一项所述的封装模组。2CN114143956A权利要求书2/3页13.一种封装结构的制备方法,其特征在于,包括:于导电基板的表面上形成封装层,所述封装层内封装有电子元器件;以及于所述导电基板的表面上形成线路层,所述线路层分别与所述导电基板和所述电子元器件电性连接,所述导电基板和/或所述线路层的电阻随电流或温度的增大而增大,从而获得所述封装结构。14.根据权利要求13所述的封装结构的制备方法,其特征在于,所述导电基板和/或所述线路层的材质包括PTC材料。15.根据权利要求13所述的封装结构的制备方法,其特征在于,所述线路层包括第一层和第二层,所述第一层和/或所述第二层的电阻随电流或温度的增大而增大,所述线路层的制备方法包括步骤:于所述导电基板的表面上形成所述第一层,所述第一层的电阻随电流或温度的