一种电子器件、封装结构及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881681A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202310156280.4H01L21/56(2006.01)(22)申请日2023.02.23H01L23/498(2006.01)(71)申请人徐州致能半导体有限公司地址221116江苏省徐州市徐州高新技术产业开发区珠江东路11号管委会大楼1205室申请人广东致能科技有限公司(72)发明人陆天然刘杉刘庆波黎子兰(74)专利代理机构北京威禾知识产权代理有限公司11838专利代理师王月玲(51)Int.Cl.H01L23/495(2006.01)H01L21/50(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图14页(54)发明名称一种电子器件、封装结构及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种电子器件、封装结构及其制备方法，属于半导体技术领域，用于解决现有封装工艺中的封装厚、封装效率不高的问题。所述方法包括：在基材的第一表面提供第一金属块，其中，所述基材的第一表面包括第一互联区域和第二互联区域；在第二互联区域表面提供第一芯片，所述第一芯片与所述第二互联区域电连接；提供框架，其中，所述框架包括边框和多个从所述边框向内延伸的连接部，所述第一芯片通过一个或多个所述连接部与所述第一金属块电连接；提供封装材料得到封装体；以及去除所述框架的所述边框。本发明封装效率高，提供的封装结构薄，电阻小，散热效果好，从而有效地提高了电子器件性能。CN115881681ACN115881681A权利要求书1/2页1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括：在基材的第一表面提供第一金属块，其中，所述基材的第一表面包括第一互联区域和第二互联区域，所述第一金属块与所述第一互联区域电连接；在第二互联区域表面提供第一芯片，所述第一芯片与所述第二互联区域电连接，其中，提供在所述第二互联区域表面的所述第一芯片的高度与提供在基材第一表面的所述第一金属块的高度相同；提供框架，其中，所述框架包括边框和多个从所述边框向内延伸的连接部，所述第一芯片通过一个或多个所述连接部与所述第一金属块电连接；提供封装材料得到封装体，其中，提供封装材料后形成的封装材料层高于提供在基材第一表面的所述第一金属块的高度；以及去除所述框架的所述边框。2.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一金属块经设计以图案化的方式提供于所述基材的第一表面。3.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述基材的第一表面包括第三互联区域，所述方法包括：在第三互联区域表面提供第二芯片，其中，提供在所述第三互联区域表面的所述第二芯片的高度与提供在基材第一表面的所述第一金属块的高度相同；以及所述第一芯片与所述第二芯片通过一个或多个所述连接部电连接。4.根据权利要求3所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述基材的第一表面包括第四互联区域，所述方法包括：在第四互联区域表面提供第二金属块，其中，提供在所述第四互联区域表面的所述第二金属块的高度与提供在基材第一表面的所述第一金属块的高度相同；以及所述第二金属块通过一个或多个所述连接部与所述第一芯片或所述第二芯片电连接。5.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一互联区域和所述第二互联区域各自包括穿过所述基材延伸到所述基材的第二表面的电连接部分。6.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述框架的所述边框对应于构成封装结构单元的基材的周边区域；在去除所述框架的所述边框时，对应基材周边区域位置切割所述封装体以去除所述框架的所述边框。7.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述框架的所述边框与连接部的连接处露出对应构成封装结构单元的基材的周边区域；在提供封装材料得到封装体步骤之前，切割露出基材周边区域的所述边框与连接部的连接处以去除所述框架的所述边框。8.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述基材提供多个基材单元，每个基材单元对应构成一个封装结构单元，所述多个基材单元之间由中间切割区分隔；所述框架还包括将边框分隔为多个框架单元的多个连接筋，所述连接筋与多个基材单元之间的所述中间切割区对应，所述框架的连接部自构成框架单元的部分边框和部分连接筋向框架单元内延伸；在去除所述框架的所述边框的同时去除所述多个连接筋。9.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述基材为板材或镂空的基础框架。2CN115881681A权利要求书2/2页10.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述框架由提供导电区的板材构成，所述导电区对应构成所述框架的连接部。11.一种封装结构，其特征在于，包括：基材，其第一表面包括