高集成射频前端.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114785386A(43)申请公布日2022.07.22(21)申请号202210720957.8(22)申请日2022.06.24(71)申请人绍兴圆方半导体有限公司地址312035浙江省绍兴市越城区皋埠街道银桥路326号3号楼2层203、204、206室(72)发明人李凡龙(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260专利代理师成丽杰(51)Int.Cl.H04B7/0413(2017.01)H04B1/40(2015.01)权利要求书2页说明书8页附图5页(54)发明名称高集成射频前端(57)摘要本申请实施例涉及无线通信领域，特别涉及一种高集成射频前端，包括发射通道、收发天线、接收通道、收发信机、第一调相模块和第二调相模块；收发信机的输出端与发射通道的输入端连接，发射通道的输出端与收发天线连接；接收通道的输入端与收发天线连接，接收通道的输出端与收发信机的输入端连接；第一调相模块位于发射通道，用于对经由发射通道发射的射频信号的相位进行调节；第二调相模块位于接收通道，用于对经由接收通道接收的射频信号的相位进行调节。本申请实施例的高集成射频前端，在发射通道和接收通道上分别设置调相模块，降低了对调相开关的性能要求，在提高射频前端集成度的同时，也降低了成本。CN114785386ACN114785386A权利要求书1/2页1.一种高集成射频前端，其特征在于，包括：发射通道、收发天线和收发信机；所述收发信机的输出端与所述发射通道的输入端连接，所述发射通道的输出端与所述收发天线连接；接收通道；所述接收通道的输入端与所述收发天线连接，所述接收通道的输出端与所述收发信机的输入端连接；第一调相模块，所述第一调相模块位于所述发射通道，用于对经由所述发射通道发射的射频信号的相位进行调节；第二调相模块，所述第二调相模块位于所述接收通道，用于对经由所述接收通道接收的射频信号的相位进行调节。2.根据权利要求1所述的高集成射频前端，其特征在于，所述发射通道包括：前置放大器、功率放大器和第一滤波器，所述第一滤波器的输入端与所述收发信机的输出端连接，所述第一滤波器的输出端通过所述前置放大器与所述功率放大器连接；所述第一调相模块与所述前置放大器集成为一体，或所述第一调相模块与所述功率放大器集成为一体，或所述第一调相模块与所述第一滤波器集成为一体。3.根据权利要求2所述的高集成射频前端，其特征在于，所述功率放大器包括功率放大模块和功率耦合器，所述功率放大模块的输入端与所述前置放大器的输出端连接，所述功率放大模块的输出端通过所述功率耦合器与所述收发天线连接；所述功率放大模块包括主功率放大器、辅助功率放大器和合路器；所述主功率放大器的输出端和所述辅助功率放大器的输出端通过所述合路器与功率耦合器的输入端连接，所述功率耦合器的第一输出端与所述收发天线连接。4.根据权利要求3所述的高集成射频前端，其特征在于，还包括：反馈通道，所述反馈通道的输入端与所述功率耦合器的第二输出端连接，所述反馈通道的输出端与所述收发信机的输入端连接。5.根据权利要求4所述的高集成射频前端，其特征在于，所述反馈通道包括射频开关，所述射频开关的输入端与所述功率耦合器的第二输出端连接，所述射频开关的输出端与所述收发信机连接。6.根据权利要求1所述的高集成射频前端，其特征在于，所述接收通道包括：放大器和第二滤波器，所述放大器的输出端通过所述第二滤波器与所述收发信机的输入端连接；所述第二调相模块与所述放大器集成为一体，或所述第二调相模块与所述第二滤波器集成为一体。7.根据权利要求1所述的高集成射频前端，其特征在于，所述第一调相模块为调相开关和/或所述第二调相模块为调相开关。8.根据权利要求7所述的高集成射频前端，其特征在于，所述调相开关包括至少一个开关组，每个开关组包括两个单刀四掷开关。9.根据权利要求1所述的高集成射频前端，其特征在于，还包括：环路器和第三滤波器，所述发射通道、所述接收通道均通过所述环路器与所述收发天线连接；所述第三滤波器位于所述环路器和所述收发天线之间。10.根据权利要求9所述的高集成射频前端，其特征在于，还包括：接地开关，所述接地开关的第一端与所述环路器连接，所述接地开关的第二端与所述接收通道连接，所述接地2CN114785386A权利要求书2/2页开关的第三端接地。3CN114785386A说明书1/8页高集成射频前端技术领域[0001]本申请实施例涉及无线通信领域，特别涉及一种高集成射频前端。背景技术[0002]随着5G通信时代的到来，5G网络的建设越来越重要，其中，5G基站是5G网络建设不可或缺的一环。由于5G网络相对于4G网络最显著的特点能提供更大的带宽，更低的延迟和更大的容量，为了支撑