加热组件及其制备方法和烹饪器具.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115915507A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202111115810.8A47J36/24(2006.01)(22)申请日2021.09.23(71)申请人佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司地址528311广东省佛山市顺德区北滘镇三乐东路19号(72)发明人程炳坤杨卫星曹达华许智波(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201专利代理师吴婷(51)Int.Cl.H05B3/20(2006.01)H05B3/02(2006.01)H05B3/14(2006.01)H05B3/68(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图1页(54)发明名称加热组件及其制备方法和烹饪器具(57)摘要本发明提供了加热组件及其制备方法和烹饪器具，该加热组件包括：基体；发热层，所述发热层设在所述基体的一个表面上；以及封装层，所述封装层设在所述发热层远离所述基体的一侧；定义所述基体的热膨胀系数为A1，所述发热层的热膨胀系数为A2，所述封装层的热膨胀系数为A3，其中，A1、A2和A3满足：|A1‑A2|÷[(A1+A2)÷2]×100％≤60％；|A2‑A3|÷[(A2+A3)÷2]×100％≤60％。由此，发热层产生的热量向基体和封装层传递，发热层与封装层和/或发热层与基体之间的热膨胀系数相差小于等于60％，匹配度较高，从而保持加热组件在高温下长时间工作的结构稳定。CN115915507ACN115915507A权利要求书1/2页1.一种加热组件，其特征在于，包括：基体；发热层，所述发热层设在所述基体的一个表面上；以及封装层，所述封装层设在所述发热层远离所述基体的一侧；定义所述基体的热膨胀系数为A1，所述发热层的热膨胀系数为A2，所述封装层的热膨胀系数为A3，其中，A1、A2和A3满足：|A1‑A2|÷[(A1+A2)÷2]×100％≤60％；|A2‑A3|÷[(A2+A3)÷2]×100％≤60％。2.根据权利要求1所述的加热组件，其特征在于，在0℃～300℃的温度范围内，所述基体的热膨胀系数为20×10‑7/℃～200×10‑7/℃，所述发热层的热膨胀系数为20×10‑7/℃～180×10‑7/℃，所述封装层的热膨胀系数为20×10‑7/℃～150×10‑7/℃。3.根据权利要求1所述的加热组件，其特征在于，|A2‑A3|大于等于|A1‑A2|。4.根据权利要求1所述的加热组件，其特征在于，在0℃～300℃的温度范围内，所述封装层的热膨胀系数小于等于所述发热层的热膨胀系数，和/或在0℃～300℃的温度范围内，所述发热层的热膨胀系数小于等于所述基体的热膨胀系数。5.根据权利要求1所述的加热组件，其特征在于，所述封装层包括氧化硅、氧化硼和氧化钠，且所述封装层中氧化硼的质量分数大于氧化钠的质量分数。6.根据权利要求5所述的加热组件，其特征在于，所述封装层中进一步包括氧化锌、氧化铝、氧化钾、氧化钡以及不可避免的杂质，并且，基于所述封装层的总质量，按照质量百分数计，所述封装层中，氧化硅的质量分数为15％～50％，氧化硼的质量分数为5％～31％，氧化钠的质量分数为5％～15％，氧化锌的质量分数为2％～15％，氧化铝的质量分数为1％～10.5％，氧化钾的质量分数为1％～10％，氧化钡的质量分数为1％～10％，杂质的质量分数不超过3％。7.根据权利要求6所述的加热组件，其特征在于，基于所述封装层的总质量，按照质量百分数计，所述封装层中，氧化硅的质量分数为23.5％～40％，氧化硼的质量分数为10％～25％，氧化钠的质量分数为8％～14％，氧化锌的质量分数为4％～14％，氧化铝的质量分数为2％～8％，氧化钾的质量分数为2％～8％，氧化钡的质量分数为2％～8％，杂质的质量分数不超过3％。8.根据权利要求1～7中任一项所述的加热组件，其特征在于，所述发热层包括釉层基体和分散在所述釉层基体中的导电填料，其中，基于所述发热层的总质量，按照质量百分数计，所述导电填料的质量分数为5％～30％。9.根据权利要求8所述的加热组件，其特征在于，所述导电填料在所述发热层靠近所述基体一侧的含量大于所述导电填料在所述发热层靠近所述封装层一侧的含量。10.根据权利要求8所述的加热组件，其特征在于，所述釉层基体包括氧化硅、氧化硼、氧化钠、氧化锌、氧化铝、氧化钾、氧化钡以及不可避免的杂质，基于所述发热层的总质量，按照质量百分数计，氧化硅的质量分数为20％～50％，氧化硼的质量分数为10％～20％，氧化钠的质量分数为3％～15％，氧化锌的质量分数为2％～15％，氧化铝的质量分数为1％～10％，氧化钾的质量分数为1％～5％，氧化钡的质量分数2CN115915507A权利要求书2/