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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115903110A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211407071.4C23C14/26(2006.01)(22)申请日2022.11.10C23C14/30(2006.01)C23C14/58(2006.01)(71)申请人安徽光智科技有限公司地址239000安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号(72)发明人戴辉尹士平刘克武郭晨光王奎(74)专利代理机构滁州创科维知识产权代理事务所(普通合伙)34167专利代理师史芳(51)Int.Cl.G02B5/20(2006.01)G02B5/28(2006.01)C23C14/06(2006.01)C23C14/18(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种红外长波高反膜、制备方法和应用(57)摘要本发明公开了一种红外长波高反膜、制备方法和应用,涉及红外光学薄膜技术领域,所述高反膜的膜系结构依次为:基底/金/硫化锌/锗/硫化锌/锗/空气,其膜系结构具体厚度为:基底/金为170~190nm/硫化锌为1155~1195nm/锗为642~682nm/硫化锌为1178~1218nm/锗为642~682nm/空气。本发明采用金膜加介质膜的堆叠,能够在红外8~12μm波段实现更高的反射率,平均反射率大于99.7%,且本发明膜系结构总厚度小于4μm,厚度更薄,降低了膜层应力,能够避免纯介质膜层过厚引起的脱膜风险,本发明在降低膜层厚度的同时兼顾膜层的高反射率。CN115903110ACN115903110A权利要求书1/1页1.一种红外长波高反膜,其特征在于:所述高反膜的膜系结构依次为:基底/金/硫化锌/锗/硫化锌/锗/空气,其膜系结构具体厚度为:基底/金为170~190nm/硫化锌为1155~1195nm/锗为642~682nm/硫化锌为1178~1218nm/锗为642~682nm/空气。2.根据权利要求1所述的一种红外长波高反膜,其特征在于,所述膜系结构具体厚度为:基底/金为180nm/硫化锌为1175nm/锗为662nm/硫化锌为1198nm/锗为662nm/空气。3.根据权利要求1所述的一种红外长波高反膜,其特征在于,所述基底为铜、硅或钼中的任意一种。4.根据权利要求1所述的一种红外长波高反膜,其特征在于,所述高反膜采用真空蒸发镀膜制得。5.根据权利要求1~4中任意一项所述的一种红外长波高反膜的制备方法,其特征在于:具体包括以下步骤:S01:对基底材料进行清洗;S02:将镀膜机真空抽至1.5*10‑3Pa以下压力,加热至150~180℃;S03:在镀膜机内对基底材料进行离子清洗;S04:按照膜系结构及厚度依次进行镀膜处理;S05:镀膜完成后,保持温度150~180℃,加热老化膜层。6.根据权利要求5所述的一种红外长波高反膜的制备方法,其特征在于,所述S04中镀金膜和硫化锌膜时,采用蒸发舟电阻加热方式镀膜,镀锗膜时采用电子束加热蒸发方式镀膜。7.根据权利要求5所述的一种红外长波高反膜的制备方法,其特征在于,所述S04中镀金膜和硫化锌膜时,均采用离子源辅助镀膜。8.根据权利要求5所述的一种红外长波高反膜的制备方法,其特征在于,所述S04中锗的镀膜速率为0.3~0.5nm/s,硫化锌的镀膜速率为0.4~0.9nm/s。9.根据权利要求5所述的一种红外长波高反膜的制备方法,其特征在于,所述S05中的加热时间为20~40min。10.一种基于权利要求1~4中任一项所述的红外长波高反膜的应用,其特征在于:所述红外长波高反膜在红外激光系统、太阳能电池上的应用。2CN115903110A说明书1/4页一种红外长波高反膜、制备方法和应用技术领域[0001]本发明涉及红外光学薄膜技术领域,具体涉及一种红外长波高反膜、制备方法和应用。背景技术[0002]红外高反膜作为光学薄膜应用于很多红外光学系统中,如红外激光系统、太阳能电池等,常规传统红外高反膜的镀制方法一般采用单一金属镀膜或纯介质镀膜,金属膜的反射率一般在98%左右,无法达到高反射的要求,而纯介质镀膜虽然能够达到99%以上的反射率,但是膜层过厚,一般均在十几甚至几十微米,过厚的膜层导致膜层内应力巨增,脱膜的风险也巨增。[0003]现有专利如中国专利公开号为:CN206281994U,该专利的名称为“可见光近红外透射中长波红外反射的宽光谱分色片”,该专利在光学基片1的一侧依次制备匹配膜层2和诱导透射膜层3,宽光谱分色片的膜系结构为:基片1/匹配膜层2/诱导透射膜层3/空气,所述的匹配膜层2为高、低折射率材料交叠的多层介质膜层,其膜系结构为:当匹配膜层2的膜层数为奇数时,膜系为:a1Ha2La3H…an‑1LanH;当匹配膜层2的膜层数