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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115980898A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202310274052.7(22)申请日2023.03.21(71)申请人成都沃达惠康科技股份有限公司地址610000四川省成都市武侯新城管委会武兴五路433号2栋2单元9层918号(72)发明人白金宝方勇郑然杨淦(74)专利代理机构成都蓉创智汇知识产权代理有限公司51276专利代理师王岩岩(51)Int.Cl.G02B5/08(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称一种多元素多层中红外高反膜及其制备方法(57)摘要本发明涉及光学镀膜制造技术领域,具体涉及一种多元素多层中红外高反膜及其制备方法。一种多元素多层中红外高反膜,具有多个层叠设置的单元膜,每个单元膜为层叠膜系结构,所述层次膜系结构按顺序由下到上依次为L1、H1、L2、H2,其中:L1的折射率小于H1的折射率,L2的折射率小于H2的折射率。在光学器件的表面重复层叠镀制由四种不同膜料层叠组成的单元膜,使其制得的镀膜光学器件具有高的抗损伤阈值,其中一面反射率达到99.8%,另一面反射率达到90%;同时避免水分子进入膜层中导致膜层脱膜现象发生。CN115980898ACN115980898A权利要求书1/1页1.一种多元素多层中红外高反膜,其特征在于,具有多个层叠设置的单元膜,每个单元膜为层叠膜系结构,所述层叠膜系结构按顺序由下到上依次为L1、H1、L2、H2,其中:L1的折射率小于H1的折射率,L2的折射率小于H2的折射率。2.根据权利要求1所述的一种多元素多层中红外高反膜,其特征在于,所述L1为具有第一低折射率膜料YbF3的膜层,所述L2为具有第二低折射率膜料Al2O3的膜层;所述H1为具有第一高折射率膜料ZnS的膜层,所述H2为具有第二高折射率膜料HfO2的膜层。3.根据权利要求2所述的一种多元素多层中红外高反膜,其特征在于,在所述每个单元膜中,每层厚度为100~450nm。4.根据权利要求2所述的一种多元素多层中红外高反膜,其特征在于,所述多个层叠设置的单元膜的总层数为20~40层。5.一种多元素多层中红外高反膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.预处理,对待镀件进行镀膜前预处理,所述待镀件为光学器件;S2.镀膜处理,对预处理后的待镀件先进行镀单元膜,再将单元膜进行重复层叠镀制;S3.镀膜结束,得到镀有多个单元膜的中红外高反膜的镀制件。6.根据权利要求5所述的一种多元素多层中红外高反膜的制备方法,其特征在于,在所述S1步骤中,包括以下步骤:S11.采用酒精浸湿脱脂棉清洗待镀件,去除待镀件表面的杂物、油污和辅料;S12.将待镀件固定至夹具上,放置真空室,抽真空,当腔体内压强小于9×10‑3Pa后,加热待镀件至60~150℃,保温30min;S13.用离子源轰击待镀件2~5min。7.根据权利要求5所述的一种多元素多层中红外高反膜的制备方法,其特征在于,所述光学器件为Er:YAG晶体。8.根据权利要求5所述的一种多元素多层中红外高反膜的制备方法,其特征在于,在所述S2步骤中,包括以下步骤:‑3S21.用电子枪打第一低折射率膜料YbF3材料,蒸镀时真空室压强小于3×10Pa,蒸发速率为7Å/s,膜层厚度采用晶振法监控,厚度为400nm;S22.用电子枪打第二高折射率膜料ZnS材料,蒸镀时真空室压强小于3×10‑3Pa,蒸发速率为6Å/s,膜层厚度采用晶振法监控,厚度为380nm;‑3S23.用电子枪蒸镀第二低折射率膜料Al2O3,蒸镀时真空室压强小于3×10Pa,蒸发速率为3Å/s,膜层厚度采用晶振法监控,厚度为150nm;S24.用电子枪蒸镀第二高折射率膜料HfO,蒸镀时真空室压强为9×10‑42×10‑3Pa,2~蒸发速率为5Å/s,膜层厚度采用晶振法监控,厚度为120~130nm;S25.重复S21~S24步骤。9.根据权利要求5所述的一种多元素多层中红外高反膜的制备方法,其特征在于,在所述S3步骤中,镀膜结束后,将真空室冷却至50℃,打开真空室取出镀有多元素多层中红外高反膜的待镀件。10.根据权利要求5所述的一种多元素多层中红外高反膜的制备方法,其特征在于,所述镀有多元素多层中红外高反膜的待镀件的反射波段为2.8~5μm。2CN115980898A说明书1/5页一种多元素多层中红外高反膜及其制备方法技术领域[0001]本申请涉及光学镀膜制造技术领域,具体涉及一种多元素多层中红外高反膜及其制备方法。背景技术[0002]Er:YAG晶体为一种激光波长为2940nm的激光晶体。2940nm波长是所有现有波长中最容易被水和羟基磷灰石吸收的波长,同时被认为是一种高表面切割激光。掺杂浓度为50%的Er:YAG