一种薄膜、发光器件及显示面板.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115915809A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202111164869.6(22)申请日2021.09.30(71)申请人TCL科技集团股份有限公司地址516006广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦(72)发明人姚振垒(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570专利代理师吴莉莉(51)Int.Cl.H10K50/16(2023.01)H10K50/115(2023.01)H10K59/10(2023.01)权利要求书1页说明书11页附图2页(54)发明名称一种薄膜、发光器件及显示面板(57)摘要本申请公开了一种薄膜、发光器件及显示面板，所述薄膜包括层叠设置的第一子膜和第二子膜，第一子膜的材料包括第一聚合物，第二子膜的材料包括第二聚合物，所述第一聚合物包括第一重复结构单元，所述第二聚合物包括第二重复结构单元，所述第一重复结构单元和所述第二重复结构单元均为空穴传输基团；第一聚合物的数均分子量高于第二聚合物的数均分子量；所述薄膜能够用于制备所述发光器件的空穴传输层，第一子膜靠近发光器件的阳极，第二子膜靠近发光器件的发光层，有利于降低空穴传输层与发光层之间的能垒差异，促进空穴向发光层的注入，从而改善了发光器件中空穴传输层与发光层之间能级不匹配的问题；所述发光器件能够应用于显示面板中。CN115915809ACN115915809A权利要求书1/1页1.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜包括层叠设置的第一子膜和第二子膜，所述第一子膜的材料包括第一聚合物，所述第二子膜的材料包括第二聚合物，所述第一聚合物包括第一重复结构单元，所述第二聚合物包括第二重复结构单元，所述第一重复结构单元和所述第二重复结构单元均为空穴传输基团；所述第一聚合物的数均分子量高于所述第二聚合物的数均分子量。2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述第一重复结构单元和所述第二重复结构单元相同。3.根据权利要求2所述的薄膜，其特征在于，所述第一聚合物的数均分子量为30000至300000，所述第二聚合物的数均分子量为2000至10000。4.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述第一重复结构单元和所述第二重复结构单元彼此独立地选自包含芳香族胺基的基团、包含咔唑基的基团以及包含噻吩基的基团中的至少一者。5.根据权利要求4所述的薄膜，其特征在于，所述第一聚合物和所述第二聚合物彼此独立地选自聚(9,9‑二辛基芴‑CO‑N‑(4‑丁基苯基)二苯胺)、聚(双(4‑苯基)(4‑丁基苯基)胺)、聚(9‑乙烯咔唑)、聚(N,N’‑双(4‑丁基苯基)‑N,N’‑双(苯基)联苯胺)、聚(9,9‑二辛基芴‑共‑双‑N,N‑苯基‑1,4‑苯二胺)以及聚(N,N’‑双(4‑丁基苯基)‑N,N’‑双(苯基)联苯胺)中的至少一者。6.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述第一子膜的厚度：所述第二子膜的厚度为(5～10)：1。7.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括：阳极；阴极，与所述阳极相对设置；发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及空穴传输层，设置于所述阳极与所述发光层之间，所述空穴传输层包括如权利要求1至6任一项中所述的薄膜，且所述薄膜的所述第一子膜靠近所述阳极，且所述薄膜的所述第二子膜靠近所述发光层。8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括电子传输层，所述电子传输层设置于所述发光层与所述阴极之间。9.根据权利要求7或8所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为量子点，所述量子点选自II‑VI族化合物、III‑V族化合物和I‑III‑VI族化合物中的至少一种；所述II‑VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种；所述III‑V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP；所述I‑III‑VI族化合物选自选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的至少一种。10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求7至9任一项中所述的发光器件。2CN115915809A说明书1/11页一种薄膜、发光器件及显示面板技术领域[0001]本申请涉及光电技术领域，具体涉及一种薄膜、发光器件及显示面板。背景技术[0002]量子点(QuantumDot,QD)是新一代电致发光材料，量子点的发光光谱随量子点的尺寸变化而变化，量子点因具有发光光