用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115913159A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202310101495.6(22)申请日2023.02.13(71)申请人深圳新声半导体有限公司地址518109广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801(72)发明人请求不公布姓名(74)专利代理机构北京康盛知识产权代理有限公司11331专利代理师陶俊洁(51)Int.Cl.H03H3/08(2006.01)H03H9/64(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图7页(54)发明名称用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器(57)摘要本申请涉及谐振器技术领域，公开一种用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器，其中方法包括：在预设的衬底上淀积第一温度补偿层；形成位于第一温度补偿层内的叉指电极结构；叉指电极结构包括若干个第一电极指和若干个第二电极指；在叉指电极结构的电极指末端区域设置光刻胶；刻蚀未被光刻胶覆盖的叉指电极结构和第一温度补偿层；使叉指电极结构的电极指末端区域形成金属凸起。这样，通过刻蚀叉指电极结构的方式，金属凸起与叉指电极结构是一体的材料。使得金属凸起与叉指电极结构的第一电极指的末端边缘和第二电极指的末端边缘直接就能垂直对齐，从而能够提高声表面波滤波器对杂波的抑制效果。CN115913159ACN115913159A权利要求书1/2页1.一种用于制作声表面波滤波器的方法，其特征在于，包括：在预设的衬底上淀积第一温度补偿层；形成位于所述第一温度补偿层内的叉指电极结构；所述叉指电极结构包括若干个第一电极指和若干个第二电极指；在所述叉指电极结构的电极指末端区域设置光刻胶；所述电极指末端区域包括：第二电极指中与第一电极指的末端平齐的区域，第一电极指中与第二电极指的末端平齐的区域，第一电极指的末端的区域，第二电极指的末端的区域；刻蚀未被光刻胶覆盖的叉指电极结构和第一温度补偿层；使叉指电极结构的电极指末端区域形成金属凸起。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成位于所述第一温度补偿层内的叉指电极结构，包括：刻蚀所述第一温度补偿层形成通孔，所述通孔暴露出所述衬底；在所述通孔内填充金属形成叉指电极结构。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述通孔内填充金属形成叉指电极结构，包括：在暴露出的衬底和刻蚀后的第一温度补偿层上淀积籽晶层；所述籽晶层位于所述通孔内的部分被限定成凹槽；在所述凹槽内填充电极金属；刻蚀所述电极金属、所述第一温度补偿层和所述籽晶层，使第一温度补偿层、电极金属和籽晶层均处于预设的目标高度且表面齐平；刻蚀电极金属、第一温度补偿层和籽晶层后，凹槽内的电极金属构成叉指电极结构。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，刻蚀所述电极金属、所述第一温度补偿层和所述籽晶层，包括：利用化学机械抛光工艺对所述电极金属、所述第一温度补偿层和所述籽晶层进行平坦化处理；利用离子束刻蚀工艺刻蚀平坦化处理后的电极金属、第一温度补偿层和籽晶层，使得电极金属、第一温度补偿层和籽晶层处于预设的目标高度。5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，叉指电极结构包括第一汇流条和第二汇流条；刻蚀未被光刻胶覆盖的叉指电极结构和第一温度补偿层后，还包括：剥离所述光刻胶；在第一温度补偿层和刻蚀后的叉指电极结构上淀积第二温度补偿层；刻蚀所述第二温度补偿层，暴露出第一汇流条和第二汇流条；在所述第一汇流条上形成第一金属层，并在所述第二汇流条上形成第二金属层。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述第一汇流条上形成第一金属层，并在所述第二汇流条上形成第二金属层后，还包括：在所述第一金属层、所述第二金属层和所述第二温度补偿层上淀积钝化层；刻蚀所述钝化层，暴露出所述第一金属层和所述第二金属层。7.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底由铌酸锂或者钽酸锂制成。2CN115913159A权利要求书2/2页8.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述第一温度补偿层由二氧化硅制成。9.一种声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器由执行权利要求1至8任一项所述的用于制作声表面波滤波器的方法制得。10.根据权利要求9所述的声表面波滤波器，其特征在于，包括：衬底；第一温度补偿层，设置在所述衬底上，与所述衬底接触；叉指电极结构，设置在所述第一温度补偿层内，与所述第一温度补偿层和所述衬底接触；所述叉指电极结构的电极指末端区域形成金属凸起；所述金属凸起在垂直方向上与第一电极指或第二电极指对齐。3CN115913159A说明书1/9页用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器技术领域[0001]本申请涉及谐振器技术领域，例如涉及一种用于制作声表面波