用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115940862A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202310101494.1(22)申请日2023.02.13(71)申请人深圳新声半导体有限公司地址518109广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801(72)发明人请求不公布姓名(74)专利代理机构北京康盛知识产权代理有限公司11331专利代理师陶俊洁(51)Int.Cl.H03H3/08(2006.01)H03H9/64(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图8页(54)发明名称用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器(57)摘要本申请涉及谐振器技术领域，公开一种用于制作声表面波滤波器的方法，包括：在预设的衬底上淀积第一光刻胶层；刻蚀第一光刻胶层形成通孔；在暴露出的衬底和刻蚀后的第一光刻胶层上依次淀积第一金属层和第一温度补偿层；在第一温度补偿层上设置第二光刻胶层和第二金属层；去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层，获得被第一温度补偿层覆盖的叉指电极结构，且第一温度补偿层的待设置区域形成金属凸起。这样，通过设置第一光刻胶层、第二光刻胶层和第二金属层，并去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层的方式形成金属凸起。金属凸起与叉指电极结构的电极指的末端边缘垂直对齐，从而提高声表面波滤波器对杂波的抑制效果。本申请还公开一种声表面波滤波器。CN115940862ACN115940862A权利要求书1/2页1.一种用于制作声表面波滤波器的方法，其特征在于，包括：在预设的衬底上淀积第一光刻胶层；刻蚀所述第一光刻胶层形成通孔，所述通孔暴露出所述衬底；在暴露出的衬底和刻蚀后的第一光刻胶层上依次淀积第一金属层和第一温度补偿层；在所述第一温度补偿层上设置第二光刻胶层和第二金属层；去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层，获得被第一温度补偿层覆盖的叉指电极结构，且第一温度补偿层的待设置区域形成金属凸起；所述金属凸起与叉指电极结构的电极指在垂直方向上对齐；所述第一温度补偿层的待设置区域为第一温度补偿层上与叉指电极结构的电极指末端区域对应的区域；所述电极指末端区域包括叉指电极结构的电极指的末端所处的区域，以及与所述末端所处的区域齐平的电极指的区域。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一温度补偿层上设置第二光刻胶层和第二金属层，包括：在第一温度补偿层的非待设置区域淀积第二光刻胶层；在第一温度补偿层的待设置区域和所述第二光刻胶层上淀积第二金属层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一温度补偿层上设置第二光刻胶层和第二金属层，包括：在第一温度补偿层上淀积第二金属层；在第二金属层的待设置区域淀积第二光刻胶层；第二金属层的待设置区域为第二金属层上与叉指电极结构的电极指末端区域对应的区域；刻蚀未被第二光刻胶层覆盖的第二金属层。4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层后，还包括：在第一温度补偿层和金属凸起上淀积第二温度补偿层，使第二温度补偿层包裹第一温度补偿层、叉指电极结构和金属凸起；刻蚀第二温度补偿层和第一温度补偿层，暴露出叉指电极结构的第一汇流条和叉指电极结构的第二汇流条。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，暴露出叉指电极结构的第一汇流条和叉指电极结构的第二汇流条后，还包括：在所述第一汇流条上形成第三金属层；在所述第二汇流条上形成第四金属层。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在第一汇流条上形成第三金属层，且第二汇流条上形成第四金属层后，还包括：在所述第三金属层、所述第四金属层和所述第二温度补偿层上淀积钝化层；刻蚀所述钝化层，暴露出所述第三金属层和所述第四金属层。7.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底由铌酸锂或者钽酸锂制成。8.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述第一温度补偿层由二氧化硅制成。9.一种声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器由执行权利要求1至8任一2CN115940862A权利要求书2/2页项所述的用于制作声表面波滤波器的方法制得。10.根据权利要求9所述的声表面波滤波器，其特征在于，包括：衬底；叉指电极结构，用于声电换能；所述叉指电极结构设置在所述衬底与第一温度补偿层之间；第一温度补偿层，设置在所述叉指电极结构和金属凸起之间；金属凸起，设置在所述第一温度补偿层上的待设置区域；所述金属凸起与叉指电极结构的电极指在垂直方向上对齐；所述待设置区域为第一温度补偿层上与叉指电极结构的电极指末端区域对应的区域；所述电极指末端区域包括叉指电极结构的电极指的末端所处的区域，以及与所述末端所处的区域齐平的电极指的区域。3CN115940862A说明书1/9页用于制作声表面波滤波器的方法、