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半导体结构及其制作方法.pdf
2023-06-04
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半导体结构及其制作方法.pdf
本申请提出一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包含第一导电层、第一阻挡层以及绝缘层；第一导电层包含至少两条走线，相邻两条走线之间形成有凹槽；第一阻挡层设置于凹槽的侧壁；绝缘层填充于凹槽，位于凹槽的绝缘层中形成有气隙。本申请通过在凹槽的侧壁设置第一阻挡层，能够有效隔绝外界水汽由绝缘层侵入第一导电层和其他结构，同时能够利用第一阻挡层有效防止第一导电层的相邻走线之间的电迁移现象。
2023-06-11
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半导体结构及其制作方法.pdf
本公开提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，半导体结构的制作方法包括：将目标结构置于反应腔中，向反应腔中通入第一反应气体和第二反应气体；将反应腔内的工艺条件调节为第一工艺条件，第一反应气体和第二反应气体在目标结构上形成低介电材料层；将第一工艺条件调节为第二工艺条件，第一反应气体和第二反应气体在低介电材料层上形成保护层。本公开在制作过程中无需转移目标结构，在同一反应腔中形成低介电材料层和保护层，不仅节省了一个沉积腔室，还减少了沉积步骤，提高了制程效率、减少了制程时间，降低了生产成本；保护层能
2023-06-10
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半导体结构及其制作方法.pdf
本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的性能较差技术问题，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成多个间隔设置的叠层结构，叠层结构包括依次层叠设置的第一导电层、绝缘层和第二导电层，第一导电层和第二导电层中的至少一个为半金属层；形成覆盖叠层结构的沟道层，以及覆盖沟道层的介质层；形成沿第一方向延伸的字线，字线包括多个接触部和连接相邻的接触部的连接部，接触部环绕且接触介质层的侧表面，接触部与至少部分绝缘层相对。通过设置半金属层，可以降低叠层结构与其他结构的接触电阻
2023-05-26
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本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法中：对于自下而上依次分布的衬底、第一导电类型的半导体层、发光层与第二导电类型的半导体层，去除第一预定区域的第二导电类型的半导体层、发光层与第一导电类型的半导体层形成凹槽，保留第二、第三预定区域的第二导电类型的半导体层、发光层与第一导电类型的半导体层，第二预定区域保留的各层形成阵列式排布的发光单元，第三预定区域保留的各层形成连接相邻发光单元的连接柱；在行与列方向上，第三预定区域的宽度都小于第二预定区域的宽度。如此，对于镂空的第一导电类型的半导体层、
2023-06-04
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半导体结构及其制作方法.pdf
本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，方法包括：提供衬底，衬底上设置有沿第一方向延伸的多个第一沟槽和沿第二方向延伸的多个第二沟槽，第一沟槽的深度小于第二沟槽的深度；形成第一隔离结构覆盖衬底并填充第一沟槽和第二沟槽；形成多个第三沟槽，第三沟槽位于第一沟槽底部的衬底内，且沿第一方向延伸；形成第二隔离结构填充第一沟槽和第三沟槽；形成栅极结构，栅极结构沿第二方向环绕第一沟槽之间的衬底，在第一方向上，栅极结构的投影和第二沟槽的投影相互平行且交替间隔设置；形成导电结构，导电结构位于第二沟槽内，且
2023-06-04
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