一种高折射单体及其制备方法和应用.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115894315A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202210948688.0C07C319/22(2006.01)(22)申请日2022.08.08C07D339/06(2006.01)C09J4/02(2006.01)(71)申请人深圳市首骋新材料科技有限公司G02B1/04(2006.01)地址518000广东省深圳市龙华区龙华街道清湖社区清湖村宝能科技园9栋5层(72)发明人龚雪李德林(74)专利代理机构杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)33283专利代理师向庆宁曹小燕(51)Int.Cl.C07C321/20(2006.01)C07C409/42(2006.01)C07C407/00(2006.01)C07C321/28(2006.01)C07C321/30(2006.01)权利要求书5页说明书21页附图1页(54)发明名称一种高折射单体及其制备方法和应用(57)摘要本发明提供了一种高折射单体及其制备方法和应用，通过溶剂法化学反应构建二硫键，引入到单体结构中，使单体结构中同时含有芳香环和二硫键。所述单体具有色散低，粘度低，透光率高，易于通过化学方法合成，可重复性高，更适于工业化规模生产的特点；所述单体制备的组合物通过光固化后具有折射率高，机械强度高，抗弯折与形变性能好，和透光率高的特点，可应用于OLED、AR/MR眼镜、光电器件、镜片涂层、人工晶状体、光学透镜、微透镜、纳米压印等。所述单体制备的组合物可采用喷墨打印、旋涂、喷涂等方式涂覆到部件表面然后UV固化。本发明所述单体还可以用于制造纳米压印胶。CN115894315ACN115894315A权利要求书1/5页1.一种高折射单体，其特征在于，含有芳香环、双硫键和可光固化的官能基。2.如权利要求1所述的高折射单体，其特征在于，所述芳香环的数量为1或2个；所述双硫键与可光固化的官能基数量相同，为1～6个；所述可光固化的官能基为碳‑碳双键、碳‑碳三键或环氧乙烯键中的至少一种。3.如权利要求1或2所述的高折射单体，其特征在于，当双硫键与可光固化的官能基数量都为1时，所述高折射单体的结构式如式Ⅰ所示：其中，R1为直链烷基取代基、支链烷基取代基、烷氧基取代基、烷硫基取代基、芳基取代基，或卤素取代基，取代基位置可在邻位，对位或间位；t为取代基个数，5≥t≥0；当有多个取代基时，取代基可相同或不同；n为亚甲基个数，0≤n≤8；R2为烷基取代基、烷氧基取代基、烷硫基取代基、或卤素取代基，R3可与R2相同或不同；X为氧或硫原子；m为乙氧基或乙硫基个数，0≤m≤10；F为可光固化的官能基。4.如权利要求1‑3任一项所述的高折射单体，其特征在于，所述R1为选自H2y+1Cy‑S‑*、H2y+1Cy‑O‑*、H2y+1Cy‑*、Cl‑*、Br‑*、I‑*、H‑、中的任意一种或多种，其中y为饱和烷基链中碳原子个数，0≤y≤10；所述F为选自中的任意一种，其中R4为甲基或者氢原子。5.如权利要求1‑4任一项所述的高折射单体，其特征在于，当R1为H时，所述高折射单体的结构式为选自式Ⅰ‑1、式Ⅰ‑2、式Ⅰ‑3或式Ⅰ‑4中的任意一种：当R1为时，所述高折射单体的结构式为选自式Ⅰ‑5、式Ⅰ‑6、式Ⅰ‑7或式Ⅰ‑8中的任意一种：2CN115894315A权利要求书2/5页当R1为时，所述高折射单体的结构式为选自式Ⅰ‑9、式Ⅰ‑10、式Ⅰ‑11或式Ⅰ‑12中的任意一种：当R1为时，所述高折射单体的结构式为选自式Ⅰ‑13、式Ⅰ‑14、式Ⅰ‑15或式Ⅰ‑16中的任意一种：当R1为时，所述高折射单体的结构式为选自式Ⅰ‑17、式Ⅰ‑18、式Ⅰ‑19或式Ⅰ‑20中的任意一种：3CN115894315A权利要求书3/5页6.如权利要求1或2所述的高折射单体，其特征在于，当双硫键与可光固化的官能基数量都为2时，所述高折射单体的结构式如式Ⅱ所示：其中，n为亚甲基个数，0≤n≤8；R2为烷基取代基、烷氧基取代基、烷硫基取代基、或卤素取代基，R3可与R2相同或不同；X为氧或硫原子；m为乙氧基或乙硫基个数，0≤m≤10；F为可光固化的官能基；A为双取代芳基，选自中的任意一种，其中Z为氧或者硫原子。7.如权利要求1、2或6任一项所述的高折射单体，其特征在于，当A为时，所述高折射单体的结构式为选自式Ⅱ‑1、式Ⅱ‑2、式Ⅱ‑3或式Ⅱ‑4中的任意一种：当A为且Z为硫原子时，所述高折射单体的结构式为选自式Ⅱ‑5、式Ⅱ‑6、式Ⅱ‑7或式Ⅱ‑8中的任意一种：4CN115894315A权利要求书4/5页8.如权利要求1或2所述的高折射单体，其特征在于，当双硫键与可光固化的官能基数量都为3时，所述高折射单体的结构式如式Ⅲ所示：其中，n为亚甲基个数，0≤n≤