半导体装置和包括半导体装置的电子系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115915767A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202210742445.1H10B43/27(2023.01)(22)申请日2022.06.27(30)优先权数据10-2021-01288262021.09.29KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道水原市(72)发明人黄盛珉禹东城李泰坤朴凤泰沈载株郑泰哲(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司11286专利代理师黄晓燕方成(51)Int.Cl.H10B41/50(2023.01)H10B41/27(2023.01)H10B43/50(2023.01)权利要求书3页说明书18页附图32页(54)发明名称半导体装置和包括半导体装置的电子系统(57)摘要公开了半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置可包括：基底，包括单元阵列区域和连接区域，单元阵列区域包括中心区域和外部区域；电极结构，包括电极和垫；垂直结构，在单元阵列区域上并穿透电极结构；以及分离绝缘图案，穿透作为电极中的一个的上电极，并将上电极分成沿与第一方向相交的第二方向布置的至少两个部分。分离绝缘图案包括第一部分和第二部分，第一部分在中心垂直结构中的至少一些之间，第二部分与第一部分间隔开，使得当在平面图中观察时，第二部分在外围垂直结构中的至少一些之间。CN115915767ACN115915767A权利要求书1/3页1.一种半导体装置，包括：基底，包括沿第一方向布置的单元阵列区域和连接区域，单元阵列区域包括中心区域和外部区域，外部区域在中心区域与连接区域之间；电极结构，包括电极和垫，所述电极垂直堆叠在基底上，并且所述垫以阶梯式方式在连接区域上；垂直结构，在单元阵列区域上并且穿透电极结构，垂直结构包括中心区域上的中心垂直结构和外部区域上的外围垂直结构；以及分离绝缘图案，穿透作为所述电极中的一个的上电极，并将上电极分成沿与第一方向相交的第二方向布置的至少两个部分，其中，分离绝缘图案包括第一部分和第二部分，第一部分沿第一方向延伸，使得当在平面图中观察时，第一部分在中心垂直结构中的至少一些之间，第二部分沿第二方向与第一部分间隔开，使得当在平面图中观察时，第二部分在外围垂直结构中的至少一些之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：位线，在单元阵列区域上并且沿第二方向延伸，其中，外围垂直结构与位线电隔离。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，中心垂直结构和外围垂直结构在第一方向上具有相同的宽度。4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：垂直支撑结构，在连接区域上并穿透所述垫，其中，垂直支撑结构具有大于垂直结构的宽度。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，分离绝缘图案还包括将第一部分连接到第二部分的连接部分，并且连接部分沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向延伸。6.根据权利要求1至权利要求5中的任意一项所述的半导体装置，其中，分离绝缘图案的顶表面与垂直结构的顶表面处于相同的垂直水平。7.根据权利要求1至权利要求5中的任意一项所述的半导体装置，其中，第二部分与第一垂直结构叠置，使得当在平面图中观察时，第一垂直结构的中心与第二部分间隔开，第一垂直结构是外围垂直结构中的一个。8.根据权利要求1至权利要求5中的任意一项所述的半导体装置，其中，中心垂直结构包括与第一部分叠置的第一垂直结构，外围垂直结构包括与第二部分叠置的第二垂直结构，并且当在平面图中观察时，第一垂直结构与分离绝缘图案之间的叠置区域大于第二垂直结构和分离绝缘图案之间的叠置区域。9.根据权利要求1至权利要求5中的任意一项所述的半导体装置，还包括：电极阻挡层，在分离绝缘图案与上电极之间。10.根据权利要求1至权利要求5中的任意一项所述的半导体装置，其中，当在平面图中观察时，第一部分具有线性形状，并且第二部分具有Z字形形状。11.一种半导体装置，包括：基底，包括沿第一方向布置的单元阵列区域和连接区域，单元阵列区域包括中心区域2CN115915767A权利要求书2/3页和外部区域，外部区域在中心区域与连接区域之间；电极结构，包括电极和垫，所述电极垂直堆叠在基底上，并且所述垫以阶梯式方式在连接区域上；垂直结构，在单元阵列区域上并且穿透电极结构，垂直结构包括中心区域上的中心垂直结构和外部区域上的外围垂直结构；以及分离绝缘图案，穿透作为所述电极中的一个的上电极，并将上电极分成彼此电隔离的至少两个部分，其中，垂直结构包括第一垂直结构和第二垂直结构，第一垂直结构在中心区域上并与分离绝缘图案垂直叠置，并且第二垂直结构在外部区域上并与分离绝缘图案垂直叠置，并且当在平面图中观察时，第一垂直结构与分离绝缘图案之间的叠置区域大于第二垂直结构与分离绝缘图案之间的叠置区域。12.