一种半导体结构及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115915753A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211428624.4(22)申请日2022.11.15(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人储嘉虹(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270专利代理师王军红徐川(51)Int.Cl.H10B12/00(2023.01)权利要求书2页说明书9页附图5页(54)发明名称一种半导体结构及其制造方法(57)摘要本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在衬底上形成导电层，在形成导电层的过程中混入了微尘杂质颗粒，使得导电层的上表面包括第一凸起和其他平坦区域，第一凸起在衬底上的投影与微尘杂质颗粒在衬底上的投影至少部分重合；形成覆盖导电层的第一绝缘层，第一绝缘层的厚度不大于第一凸起相对于其他平坦区域的高度差；在第一绝缘层上形成第二绝缘层；去除第二绝缘层，包括：对第二绝缘层执行刻蚀工艺以暴露第一绝缘层，且第一绝缘层至少还覆盖第一凸起；其中，第二绝缘层的刻蚀速率大于第一绝缘层的刻蚀速率；采用清洗液执行清洗工艺，以去除在去除第二绝缘层的过程中产生的刻蚀残留物或副产物。CN115915753ACN115915753A权利要求书1/2页1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成导电层，在形成所述导电层的过程中混入了微尘杂质颗粒，使得所述导电层的上表面包括第一凸起和其他平坦区域，所述第一凸起在所述衬底上的投影与所述微尘杂质颗粒在所述衬底上的投影至少部分重合；在所述导电层上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述导电层的上表面，所述第一绝缘层的厚度不大于所述第一凸起相对于所述其他平坦区域的高度差；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；去除所述第二绝缘层，包括：对所述第二绝缘层执行刻蚀工艺以暴露所述第一绝缘层，且所述第一绝缘层至少还覆盖所述第一凸起；其中，所述第二绝缘层的刻蚀速率大于所述第一绝缘层的刻蚀速率；采用清洗液执行清洗工艺，以去除在去除所述第二绝缘层的过程中产生的刻蚀残留物或副产物。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导电层的材料包括钨。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述清洗液包括稀氢氟酸溶液或稀硫酸与双氧水的混合溶液。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述稀硫酸与双氧水的混合溶液中硫酸、双氧水以及水的体积比为1:2:20～1:2:100。5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述稀氢氟酸溶液中氢氟酸和水的体积比为1:100～1:200。6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氮化物，所述第二绝缘层的材料为氧化物。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二绝缘层包括第二部分和位于所述第二部分上的第一部分；去除所述第二绝缘层，包括：对所述第二绝缘层执行平坦化工艺，以去除所述第二绝缘层的所述第一部分；对剩余的所述第二绝缘层的所述第二部分执行刻蚀工艺，以去除剩余的所述第二绝缘层并暴露所述第一绝缘层。8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二绝缘层的所述第一部分的厚度和第二绝缘层的所述第二部分的厚度的比值的范围在5:1～100:1之间。9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在对所述第二绝缘层的所述第一部分执行平坦化工艺之后，在对剩余的所述第二绝缘层的所述第二部分执行刻蚀工艺之前，还包括：采用所述清洗液执行附加清洗工艺，以去除在执行所述平坦化工艺中产生的残留物或副产物。10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬底包括隔离结构和由所述隔离结构分隔开的有源区；在所述衬底上形成导电层，包括：刻蚀所述衬底以在所述衬底内形成暴露出所述有源区的凹槽，所述有源区被所述凹槽暴露出来的部分定义为接触区，并在所述衬底上形成第一导电层，其中，所述第一导电层包括第一子层和第二子层，所述第一子层填充所述凹槽并与所述接触区电连接，所述第二子层覆盖所述第一子层和所述衬底的上表面；2CN115915753A权利要求书2/2页在所述第二子层上形成第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层构成所述导电层。11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在去除所述第二绝缘层之后，所述方法还包括：刻蚀所述第一绝缘层以形成位线盖层，刻蚀所述第二导电层和所述第二子层以形成位线层。12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：将未被所述位线层覆盖的所述第一子层移除，形成位线插塞，所述位线插塞的两侧形成有空隙。13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包