封装器件、半导体封装件其形成方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115910940A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202210815323.0H01L21/8234(2006.01)(22)申请日2022.07.11(30)优先权数据63/289,7162021.12.15US17/701,4682022.03.22US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人余振华邵栋梁黄钰昇顾诗章王垂堂(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409专利代理师章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L23/31(2006.01)H01L23/367(2006.01)权利要求书2页说明书35页附图94页(54)发明名称封装器件、半导体封装件其形成方法(57)摘要本发明的实施例公开了包括散热结构的封装器件、半导体封装件、封装半导体器件及其形成方法。在实施例中，一种半导体封装件包括半导体管芯，该半导体管芯包括衬底、位于衬底前侧上的前侧互连结构、以及位于与前侧互连结构相对的衬底的背侧上的背侧互连结构；支撑管芯，位于支撑管芯上；位于支撑管芯上的散热结构，散热结构热耦合到半导体管芯和支撑管芯；在与衬底相对的背侧互连结构上的再分布结构，再分布结构电耦合到半导体管芯；以及密封剂，位于再分布结构上并且邻近半导体管芯、支撑管芯和散热结构的侧面。CN115910940ACN115910940A权利要求书1/2页1.一种半导体封装件，包括：半导体管芯，所述半导体管芯包括衬底、位于所述衬底的前侧上的前侧互连结构和位于与所述前侧互连结构相对的所述衬底的背侧上的背侧互连结构；支撑管芯，设置在所述前侧互连结构上；散热结构，位于所述支撑管芯上，其中，所述散热结构热耦合到所述半导体管芯和所述支撑管芯；再分布结构，与所述衬底相对的位于所述背侧互连结构上，其中，所述再分布结构电耦合到所述半导体管芯；以及密封剂，位于所述再分布结构上并且邻近所述半导体管芯、所述支撑管芯和所述散热结构的侧面。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括在所述散热结构和所述密封剂之间延伸的钝化材料，其中，所述散热结构包括金属层。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述散热结构包括位于所述半导体管芯的所述背侧互连结构和所述再分布结构之间的中介层，其中，所述中介层包括导热通孔，并且其中，所述导热通孔是电浮动的。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述散热结构在垂直于所述支撑管芯的主表面的方向上围绕所述半导体管芯和所述支撑管芯的侧面。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述密封剂物理接触所述散热结构的所述侧面。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述支撑管芯在垂直于所述支撑管芯的主表面的第一方向上具有第一厚度，其中，所述散热结构在所述第一方向上具有第二厚度，并且其中，所述第二厚度与所述第一厚度的比率为40％至60％。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述散热结构包括多个部段，其中，所述密封剂在所述多个部段的相邻部段之间延伸。8.一种封装器件，包括：器件管芯，所述器件管芯包括：栅极结构，位于半导体沟道上方；第一源极/漏极，邻近所述栅极结构和所述半导体沟道；栅极接触件，耦合到所述栅极结构的面向第一方向的表面；前侧互连结构，在所述第一方向上位于所述栅极接触件上，其中，所述前侧互连结构耦合到所述栅极接触件；第一源极/漏极接触件，耦合到所述第一源极/漏极的面向与所述第一方向相对的第二方向的表面；和背侧互连结构，在所述第二方向上位于所述第一源极/漏极接触件上，其中，所述背侧互连结构耦合到所述第一源极/漏极接触件；支撑管芯，热耦合到所述器件管芯；以及第一散热结构，热耦合到所述器件管芯。9.根据权利要求8所述的封装器件，其中，所述支撑管芯包括氮化铝。10.一种形成半导体封装件的方法，包括：2CN115910940A权利要求书2/2页提供器件管芯，所述器件管芯包括：器件层；前侧互连结构，位于所述器件层的前侧上；和背侧互连结构，位于所述器件层的背侧上；将支撑管芯附接到所述器件管芯，其中，所述支撑管芯热耦合到所述器件管芯；将散热结构附接到所述器件管芯，其中，所述散热结构热耦合到所述器件管芯；以及利用密封剂密封所述器件管芯、所述支撑管芯和所述散热结构。3CN115910940A说明书1/35页封装器件、半导体封装件其形成方法技术领域[0001]本发明的实施例涉及封装器件、半导体封装件其形成方法。背景技术[0002]半导体器件被用于各种电子应用，诸如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上顺序沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件来制造