一种晶圆结构及其晶圆弯曲度的调控方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115939031A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202211720668.4(22)申请日2022.12.30(71)申请人联合微电子中心有限责任公司地址401332重庆市沙坪坝区沙坪坝西园一路28号附2号(72)发明人蔡胜冬吴寒张木木赵波(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219专利代理师余明伟(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L21/66(2006.01)H01L23/532(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图3页(54)发明名称一种晶圆结构及其晶圆弯曲度的调控方法(57)摘要本发明提供一种晶圆结构及其晶圆弯曲度的调控方法，该晶圆弯曲度的调整方法包括以下步骤：提供一表面平整且包括第一介电层及第一布线层的晶圆；于晶圆的上表面形成依次层叠的第一刻蚀停止层及包括第二布线层的第二介电层，第一刻蚀停止层包括依次向上层叠的第一矫正层及第一阻挡层；利用晶圆弯曲度测量仪器测量形成第二布线层后的晶圆的弯曲度值；基于弯曲度值于第二介电层的上表面形成预设厚度的第二矫正层；于第二矫正层的上表面形成依次层叠的第二阻挡层及第三介电层。本发明通过于第一介电层及第二介电层上表面分别形成第一矫正层及第二矫正层，以使形成第二介电层及第三介电层后的晶圆平坦，提升了后段工艺的良率。CN115939031ACN115939031A权利要求书1/2页1.一种晶圆弯曲度的调控方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一表面平整的晶圆，所述晶圆包括第一介电层及嵌于所述第一介电层上表层中的第一布线层，所述第一介电层位于所述晶圆的上表层；于所述晶圆的上表面形成依次层叠的第一刻蚀停止层及第二介电层，于所述第二介电层中形成与所述第一布线层互连的第二布线层，所述第一刻蚀停止层中包括依次向上层叠的第一矫正层及第一阻挡层，所述第一矫正层矫正所述第一阻挡层及所述第二介电层产生的应力；利用晶圆弯曲度测量仪器测量形成所述第二布线层后的所述晶圆上表面的弯曲度值；基于所述弯曲度值于所述第二介电层的上表面形成预设厚度的第二矫正层，所述第二矫正层矫正所述晶圆的弯曲度，并预矫正下一堆叠层产生的应力；于所述第二矫正层的上表面形成依次层叠的第二阻挡层及第三介电层，于所述第三介电层中形成与所述第二布线层互连的第三布线层，所述第二矫正层与所述第二阻挡层组成第二刻蚀停止层。2.根据权利要求1所述的晶圆弯曲度的调控方法，其特征在于：所述第一矫正层的材质包括掺氮碳化硅；所述第二矫正层的材质包括掺氮碳化硅。3.根据权利要求1所述的晶圆弯曲度的调控方法，其特征在于：所述第一矫正层呈现的应力类型包括压应力及张应力中的一种；所述第二矫正层呈现的应力类型包括压应力及张应力中的一种。4.根据权利要求1所述的晶圆弯曲度的调控方法，其特征在于：形成所述第一矫正层的方法包括化学气相沉积；形成所述第二矫正层的方法包括化学气相沉积。5.根据权利要求1所述的晶圆弯曲度的调控方法，其特征在于：所述第一矫正层包括单层膜层或多层应力类型相同且应力大小不同的叠层膜层。6.根据权利要求1所述的晶圆弯曲度的调控方法，其特征在于：所述第二矫正层包括单层膜层或多层应力类型相同且应力大小不同的叠层膜层。7.根据权利要求1所述的晶圆弯曲度的调控方法，其特征在于：所述第二介电层中还形成有第二接触孔，所述第二布线层填充所述第二接触孔并与所述第一布线层互连；所述第三介电层中还形成有第三接触孔，所述第三布线层填充所述第三接触孔并与所述第二布线层互连。8.根据权利要求1所述的晶圆弯曲度的调控方法，其特征在于：所述第一阻挡层的材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅；所述第二阻挡层的材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。9.根据权利要求1所述的晶圆弯曲度的调控方法，其特征在于：形成所述第二布线层之后还包括去除位于所述第二介电层上表面的所述第二布线层的步骤。10.一种晶圆结构，其特征在于，包括：晶圆，包括第一介电层及嵌于所述第一介电层上表层中的第一布线层，所述第一介电层位于所述晶圆的上表层，所述晶圆的表面平整；第一刻蚀停止层，位于所述第一介电层的上表面，所述第一刻蚀停止层包括向上依次层叠的第一矫正层及第一阻挡层；第二介电层，位于所述第一阻挡层的上表面，且所述第二介电层中设有与所述第一布线层互连的第二布线层；2CN115939031A权利要求书2/2页第二刻蚀停止层，位于所述第二介电层的上表面，所述第二刻蚀停止层包括向上依次层叠的第二矫正层及第二阻挡层；第三介电层，位于所述第二阻挡层的上表面，所述第三介电层中设有与所述第二布线层互连的第三布线层。3CN115939031A说明书1/11页一种晶圆结构及其晶圆弯曲度的调控方法技术领域[0001]