能够吸收电磁波的塑料外壳及其制备方法与IGBT封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115942733A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202310005918.4(22)申请日2023.01.04(71)申请人重庆云潼科技有限公司地址400000重庆市江北区鱼嘴镇永和路39号6层608室(72)发明人段金炽廖光朝(74)专利代理机构四川知研律师事务所51352专利代理师李位全(51)Int.Cl.H05K9/00(2006.01)H05K5/02(2006.01)B29C45/78(2006.01)B29C45/77(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称能够吸收电磁波的塑料外壳及其制备方法与IGBT封装结构(57)摘要本发明涉及半导体功率模块技术领域，尤其涉及吸收电磁波的塑料外壳及其制备方法与IGBT封装结构，塑料外壳包括两层树脂层和设置在两层树脂层之间的石墨层，所述石墨层由经过偶联剂处理的石墨材料制成；IGBT封装结构包括基板和上述的塑料外壳，所述塑料外壳盖合在基板上，所述塑料外壳的内部与基板构成容纳电子器件的容纳腔。本发明的塑料外壳中设置有石墨层，该石墨层由经过偶联剂处理的石墨材料制成，具有电磁波吸收能力，能够吸收IGBT模块运行过程中产生的电磁波，和其他电子器件辐射的电磁波，能够有效减少IGBT模块和其他电子器件之间的相互影响，辅助提高IGBT模块的运行安全可靠性。CN115942733ACN115942733A权利要求书1/1页1.吸收电磁波的塑料外壳，其特征在于，所述塑料外壳包括两层树脂层和设置在两层树脂层之间的石墨层，所述石墨层由经过偶联剂处理的石墨材料制成。2.根据权利要求1所述的吸收电磁波的塑料外壳，其特征在于，所述石墨材料为石墨纸、石墨粉、石墨毡、石墨网中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的吸收电磁波的塑料外壳，其特征在于，所述偶联剂为氨基硅烷、环氧基硅烷、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基硅烷中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的吸收电磁波的塑料外壳，其特征在于，所述树脂层为聚丙烯、聚氯乙烯、聚氨酯、聚酰胺、丙烯晴‑丁二烯‑苯乙烯共聚物、聚酯对苯二甲酸乙二醇酯中的一种或多种注塑制成。5.吸收电磁波的塑料外壳的制备方法，其特征在于，所述制备方法如下：将树脂材料置于80～120℃鼓风干燥箱中干燥4～12小时去除水分；将干燥后的树脂材料置于注塑机中，调整注塑参数，并将偶联剂处理后的石墨材料放入模具中，注塑成型，得到塑料外壳；所述注塑参数如下：机筒恒温200‑250℃，模具温度30‑80℃，注射压力100‑200MPa，保压为注射压力的50%，背压2‑8MPa，螺杆转速线速度为0.5‑2m/s，测量行程0.5‑3.5D，残留材料量2‑8mm。6.根据权利要求5所述的吸收电磁波的塑料外壳的制备方法，其特征在于，所述注塑参数如下：机筒恒温220℃，模具温度40℃，注射压力140MPa，保压为70MPa，背压为4MPa，螺杆转速线速度为0.8m/s，测量行程1.2D，残留材料量2mm。7.根据权利要求5所述的吸收电磁波的塑料外壳的制备方法，其特征在于，所述石墨材料的偶联剂处理方法如下：由95%的EtOH及5%的H2O配成醇－水溶液，加入AcOH使pH为4.5～5.5，搅拌下加入2%偶联剂，搅拌5min得到偶联剂溶液，将石墨材料加入偶联剂溶液中浸泡5～30min，取出并浸入EtOH中漂洗2次，晾干后，移入80～110℃的鼓风干燥箱中干燥5～30min。8.根据权利要求7所述的吸收电磁波的塑料外壳的制备方法，其特征在于，所述石墨材料为石墨纸、石墨毡、石墨网中的一种或多种。9.根据权利要求5所述的吸收电磁波的塑料外壳的制备方法，其特征在于，所述树脂材料为聚酰胺6。10.一种IGBT封装结构，其特征在于，包括基板和权利要求1‑4任一项所述的塑料外壳或者权利要求5‑9任一项所述的制备方法制备得到的塑料外壳，所述塑料外壳盖合在基板上，所述塑料外壳的内部与基板构成容纳电子器件的容纳腔。2CN115942733A说明书1/4页能够吸收电磁波的塑料外壳及其制备方法与IGBT封装结构技术领域[0001]本发明涉及半导体功率模块技术领域，尤其涉及吸收电磁波的塑料外壳及其制备方法与IGBT封装结构。背景技术[0002]IGBT是由MOSFET和双极型晶体管符合而成的一种器件，其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作在几十KHz频率范围，在现代工业电子技术中广泛应用，如变频器，空调，焊机，光伏，汽车等行业。[0003]传统的IG