能够吸收电磁波的IGBT模块封装方法与封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763441A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202310005813.9(22)申请日2023.01.04(71)申请人重庆云潼科技有限公司地址400000重庆市江北区鱼嘴镇永和路39号6层608室(72)发明人段金炽廖光朝(74)专利代理机构四川知研律师事务所51352专利代理师李位全(51)Int.Cl.H01L23/552(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/29(2006.01)H01L21/56(2006.01)C09J183/07(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称能够吸收电磁波的IGBT模块封装方法与封装结构(57)摘要本发明涉及半导体功率模块封装技术领域，尤其涉及能够吸收电磁波的IGBT模块封装方法与封装结构，灌封方法包括在基胶中加入铂金催化剂混合搅拌抽真空脱泡处理，得到混合基胶；在交联剂中加入抑制剂混合搅拌抽真空脱泡处理，得到混合剂；将混合基胶和混合剂分别灌入灌胶机的两个胶桶中，通过灌胶机混合并灌入IGBT模块中，先将胶灌入IGBT模块中完全覆盖住芯片和键合引线后，在固化形成的第一硅凝胶层上铺上碳网，随后再次灌胶固化形成第二硅凝胶层。本发明灌封的第一硅凝胶层和第二硅凝胶层能够对内部电子器起到一定的保护作用，缓解其受到较大压力冲击损坏；位于第一硅凝胶层和第二硅凝胶层之间的碳网能够吸收电磁波，辅助提高IGBT模块的运行安全可靠性。CN115763441ACN115763441A权利要求书1/1页1.能够吸收电磁波的IGBT模块封装方法，其特征在于，包括如下步骤：每100g基胶中加入0.05～5g铂金含量千分之一的铂金催化剂混合搅拌，并作抽真空脱泡处理，得到混合基胶；每100g交联剂中加入5～30g抑制剂混合搅拌，并作抽真空脱泡处理，得到混合剂；将混合基胶和混合剂分别灌入灌胶机的两个胶桶中，通过灌胶机将混合基胶和混合剂按质量比1:1混合并灌入IGBT模块中，先将胶灌入IGBT模块中完全覆盖住芯片和键合引线后，在真空固化炉中固化，在固化形成的第一硅凝胶层上铺上碳网，随后再次灌胶固化形成第二硅凝胶层。2.根据权利要求1所述的能够吸收电磁波的IGBT模块封装方法，其特征在于，所述基胶为甲基硅油、乙基硅油、苯基硅油、甲基含氢硅油、甲基苯基硅油、甲基氯苯基硅油、甲基乙氧基硅油、甲基三氟丙基硅油、甲基乙烯基硅油、甲基羟基硅油、乙基含氢硅油、羟基含氢硅油、含氰硅油中的一种或多种混合。3.根据权利要求1所述的能够吸收电磁波的IGBT模块封装方法，其特征在于，所述交联剂为甲基氢硅氧烷，所述抑制剂为炔醇类化合物、乙烯基硅氧烷、过氧化物中的至少一种。4.根据权利要求3所述的能够吸收电磁波的IGBT模块封装方法，其特征在于，所述抑制剂为2‑丁炔‑1‑醇、3，5‑二甲基‑1‑己炔‑3‑醇、1‑乙炔基‑1‑环己醇、1‑乙炔基环戊醇、1‑己炔‑3‑醇、2‑甲基‑3‑丁炔‑2‑醇、3‑甲基‑1‑戊炔‑3‑醇、3‑(三甲基硅基)丙炔醇、2,4,7,9‑四甲基‑5‑癸炔‑4,7‑二醇中的一种或多种混合。5.根据权利要求1所述的能够吸收电磁波的IGBT模块封装方法，其特征在于，所述碳网由经过偶联剂处理的石墨材料制成，所述石墨材料为石墨纸、石墨粉、石墨毡、石墨网中的一种或多种。6.根据权利要求5所述的能够吸收电磁波的IGBT模块封装方法，其特征在于，所述碳网的制备方法如下：由95%的EtOH及5%的H2O配成醇－水溶液，加入AcOH使pH为4.5～5.5，搅拌下加入2%偶联剂，搅拌5min得到偶联剂溶液，将石墨材料加入偶联剂溶液中浸泡5～30min，取出并浸入EtOH中漂洗2次，晾干后，移入80～110℃的鼓风干燥箱中干燥5～30min。7.根据权利要求6所述的能够吸收电磁波的IGBT模块封装方法，其特征在于，所述偶联剂为氨基硅烷、环氧基硅烷、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基硅烷中的一种或多种。8.IGBT模块封装结构，包括基板和安装在基板上的外壳，所述基板与外壳的内部构成容纳电子器件的容纳腔，其特征在于，还包括位于容纳腔内的芯片、键合引线、碳网和硅凝胶层，所述硅凝胶层包括第一硅凝胶层和第二硅凝胶层，所述碳网位于第一硅凝胶层和第二硅凝胶层之间，所述第一硅凝胶层完全覆盖芯片和键合引线。9.根据权利要求8所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述碳网完全覆盖第一硅凝胶层，所述第二硅凝胶层完全覆盖碳网。10.根据权利要求9所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述第二硅凝胶层与外壳的内顶面之间留有间隙。2CN115763441A说明书1/5页能够吸收电磁波的IGBT模块封装方法与封装结构技术领域[