用于制造支撑结构的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102696100A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102696100A(43)申请公布日2012.09.26(21)申请号201080057988.5(51)Int.Cl.(22)申请日2010.11.01H01L21/683(2006.01)H01L21/687(2006.01)(30)优先权数据09174710.52009.10.30EP(85)PCT申请进入国家阶段日2012.06.19(86)PCT申请的申请数据PCT/NL2010/0507272010.11.01(87)PCT申请的公布数据WO2011/053145EN2011.05.05(71)申请人荷兰应用自然科学研究组织TNO地址荷兰代尔夫特(72)发明人N·B·科斯特马库斯·G·亨德里克斯·麦尔灵克埃德温·特·斯利赫特(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙)11270代理人孟桂超张颖玲权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书55页页附图附图33页(54)发明名称用于制造支撑结构的方法(57)摘要本发明涉及一种制造用于在光刻中支撑物品的支撑结构的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有导电顶层，所述导电顶层提供在绝缘体上；对所述导电顶层进行图案化，以提供经图案化的电极结构；以及对所述导电顶层进行氧化，以便提供具有绝缘顶面的埋入式电极结构。通过这种方式，简单的埋入式结构可提供为电极结构，以方便地提供静电夹。另外，本发明涉及用于在光刻中支撑物品而相应制造的支撑结构。CN10269ACN102696100A权利要求书1/2页1.一种制造用于在光刻中支撑物品的支撑结构(100)的方法，包括：提供衬底(10)，所述衬底(10)具有导电上层(30)，所述导电上层(30)提供在绝缘体层(20)上；在所述导电上层(30)中提供预成型图案结构(40)，所述预成型图案结构(40)具有电极部分(41)的高度轮廓；对所述导电上层(30)进行部分转换，其中，所述电极部件(41)的侧面(43)被转换为变成绝缘的；因此提供具有绝缘顶层(31)的埋入式电极结构(60)，所述绝缘顶层(31)连接到所述绝缘体(20)并且完全环绕剩余的导电电极(61)；并且，在抛光步骤之后，进一步包括下列步骤：在经图案化的电极结构(40)上提供节结构(80)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电上层由硅层(30)形成，或者由SiN或TiN组中的任何一个形成。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述导电层是经掺杂的。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述部分转换步骤是由热氧化或等离子处理来形成的。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述节结构(80)是提供为耐磨层(70、71)，所述耐磨层(70、71)提供在经氧化的顶层(31)或绝缘体(20)中的任何一个上，并且其中，所述耐磨层(70、71)被部分移除，以形成所述节结构(80)。6.根据权利要求6所述的方法，其中，在提供所述耐磨层(70)之前，所述电极结构(40)提供有通孔(81)，以使得所述节结构(80)与所述衬底(10)或绝缘体(20)中的任何一个相接触，并且进一步包括：使所述节结构(80)变平，以暴露所述绝缘顶层(31)；并且对所述绝缘顶层(31)进行蚀刻，由此产生从所述绝缘顶层(31)突出的节结构(80)。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述节结构(80)和所述衬底(10)是导电的。8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述耐磨层(70、71)包括TiN或SiO2。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘顶层(31)提供有图案化的抗蚀层(82)，所述图案化的抗蚀层(82)界定所述节结构(80)，并且其中，在所述绝缘顶层(31)内对节图案进行蚀刻，所述绝缘顶层(31)具有比所述绝缘顶层的厚度小的节间隙高度。10.根据权利要求9所述的方法，其中，在提供所述图案化的抗蚀层之前，通过CVD、溅射、PECVD或旋涂工艺来增加所述绝缘顶层，以形成顶部耐磨层(71)。11.一种用于支撑物品的支撑结构(100)，包括：衬底(10)，其具有导电层(30)，所述导电层(30)提供在绝缘体层(20)上；所述导电上层(30)，其被图案化为包括电极(61)的电极结构(40)；具有部分转换的顶层(31)的所述导电层，所述部分转换的顶层(31)连接到所述绝缘体(20)，所述导电层完全环绕所述电极(61)，以形成具有绝缘顶层(31)的埋入式电极结构(40)，所述绝缘顶层(31)完全环绕导电电极(61)；以及节结构，其提供在经图案化的电极结构(40)上。12.根据权利要求11所述的支撑结构，进一步包括：在经图案化的电极结构(40)上的节结构(80)；所述节结构(80)提供有通孔(81)，以使得所述节结构(