芯基底和封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115939052A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202210397292.1(22)申请日2022.04.15(30)优先权数据10-2021-01112032021.08.23KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道水原市(72)发明人洪明镐金度院孙章倍尹锡祐林教默(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司11286专利代理师陈懂刘灿强(51)Int.Cl.H01L23/13(2006.01)H01L23/16(2006.01)H01L23/538(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图19页(54)发明名称芯基底和封装结构(57)摘要提供了芯基底和封装结构。所述封装结构包括：芯基底，包括包含多个第一空腔和多个第二空腔的基底基体、位于所述多个第二空腔中的多个块以及在所述多个块中的每个与基底基体之间延伸的多个桥结构；多个半导体芯片，位于所述多个第一空腔中；以及模制层，被构造为覆盖芯基底和所述多个半导体芯片，模制层的一部分位于所述多个第一空腔和所述多个第二空腔中。CN115939052ACN115939052A权利要求书1/2页1.一种封装结构，所述封装结构包括：芯基底，包括包含多个第一空腔和多个第二空腔的基底基体、位于所述多个第二空腔中的多个块以及在所述多个块中的每个与基底基体之间延伸的多个桥结构；多个半导体芯片，位于所述多个第一空腔中；以及模制层，覆盖芯基底和所述多个半导体芯片，模制层的一部分位于所述多个第一空腔和所述多个第二空腔中。2.如权利要求1所述的封装结构，其中，基底基体、所述多个块和所述多个桥结构包括彼此相同的材料。3.如权利要求1所述的封装结构，其中，所述多个第一空腔中的每个、所述多个第二空腔中的每个以及所述多个块中的每个具有四边形形状，并且所述多个第一空腔中的每个的水平宽度等于所述多个第二空腔中的每个的水平宽度。4.如权利要求3所述的封装结构，其中，所述多个块中的每个通过所述多个桥结构中的一个或更多个连接到基底基体。5.如权利要求3所述的封装结构，其中，所述多个块中的每个包括彼此相对的第一边缘和第二边缘，并且所述多个块中的每个通过在第一边缘与基底基体之间延伸的至少一个第一桥结构和在第二边缘与基底基体之间延伸的至少一个第二桥结构连接到基底基体。6.如权利要求1所述的封装结构，其中，所述多个块中的每个的水平宽度等于所述多个半导体芯片中的每个的水平宽度。7.如权利要求1所述的封装结构，其中，所述多个块中的每个的水平宽度不同于所述多个半导体芯片中的每个的水平宽度。8.如权利要求1所述的封装结构，其中，所述多个块中的每个与基底基体之间的距离在20μm至1000μm的范围内。9.如权利要求1所述的封装结构，其中，所述多个块包括：至少一个第一块，每个第一块具有第一水平宽度；以及至少一个第二块，每个第二块具有与第一水平宽度不同的第二水平宽度。10.如权利要求1所述的封装结构，其中，所述多个第一空腔设置在基底基体的中心部分中，并且所述多个第二空腔设置在基底基体的外部部分中。11.如权利要求1所述的封装结构，其中，基底基体的设置有所述多个第一空腔的第一区域被基底基体的设置有所述多个第二空腔的第二区域围绕。12.如权利要求1所述的封装结构，所述封装结构还包括：下再分布结构，包括位于芯基底的下表面和所述多个半导体芯片的下表面上且电连接到所述多个半导体芯片中的每个的芯片垫的导电下再分布图案。13.如权利要求12所述的封装结构，其中，芯基底还包括从基底基体的下表面延伸到基底基体的上表面的导电连接结构，其中，所述封装结构还包括上再分布结构，上再分布结构包括位于芯基底的上表面和所述多个半导体芯片的上表面上且通过芯基底的导电连接结构电连接到导电下再分布图案的导电上再分布图案。2CN115939052A权利要求书2/2页14.一种封装结构，所述封装结构包括：芯基底，包括包含多个第一空腔和多个第二空腔的基底基体、位于所述多个第二空腔中的多个块以及在所述多个块中的每个与基底基体之间延伸的多个桥结构；多个半导体芯片，位于所述多个第一空腔中；以及模制层，覆盖芯基底和所述多个半导体芯片，模制层的一部分位于所述多个第一空腔和所述多个第二空腔中，其中，基底基体、所述多个块和所述多个桥结构包括彼此相同的材料，所述多个块中的每个在平面图中具有四边形形状，并且所述多个桥结构包括从所述多个块中的每个的第一边缘延伸到基底基体的至少一个第一桥结构和从所述多个块中的每个的第二边缘延伸到基底基体的至少一个第二桥结构。15.如权利要求14所述的封装结构，其中，芯基底还包括导电连接结构，导电连接结构在基底基体内从基底基体的下表面延伸到基底基体的上表面，其中，所述封装结构还