光加热装置、加热处理方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115938975A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202210520246.6(22)申请日2022.05.13(30)优先权数据2021-1645182021.10.06JP(71)申请人优志旺电机株式会社地址日本东京都(72)发明人吉田知识井上隆博(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219专利代理师任天诺高培培(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L33/48(2010.01)H05B3/00(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图3页(54)发明名称光加热装置、加热处理方法(57)摘要提供通过作为加热用光源的LED元件的加热被抑制而可靠性被提高的光加热装置及加热处理方法。具备载置被处理基板的支承构件和包含搭载有LED元件群的LED基板的多个光源单元，LED基板的第一主面和载置于支承构件的被处理基板的第二主面不平行，在将第一主面与第二主面所成的角度设为θ，将搭载于LED基板上的关于第二主面的法线方向位于距第二主面最近处的第一LED元件与被处理基板的分离距离设为D1，将搭载于LED基板上的关于法线方向位于距第二主面最远处的第二LED元件与第一LED元件的分离距离设为D2时，多个光源单元的各自以满足规定的关系式的方式配置。CN115938975ACN115938975A权利要求书1/2页1.一种光加热装置，通过向被处理基板照射光来进行加热，其特征在于，具备：支承构件，载置所述被处理基板；及多个光源单元，包含搭载有LED元件群的LED基板，所述LED基板的第一主面和载置于所述支承构件的所述被处理基板的第二主面不平行，在将所述第一主面与所述第二主面所成的角度设为θ，将搭载于所述LED基板上的关于所述第二主面的法线方向位于距所述第二主面最近处的第一LED元件与所述被处理基板的分离距离设为D1，将搭载于所述LED基板上的关于所述法线方向位于距所述第二主面最远处的第二LED元件与所述第一LED元件的分离距离设为D2时，所述多个光源单元的各自以满足下述(1)式的方式配置：2tan2θ/cosθ≥D2/D1(1)。2.根据权利要求1所述的光加热装置，其特征在于，具备使所述LED基板的位置变化而调整所述角度θ的角度调整机构。3.根据权利要求2所述的光加热装置，其特征在于，具备基于所述分离距离D1及所述分离距离D2来决定所述角度θ的值且基于决定出的所述角度θ的值来驱动所述角度调整机构的控制部。4.根据权利要求1或2所述的光加热装置，其特征在于，具备用于计测所述第一主面与所述第二主面所成的角度θ的角度传感器。5.根据权利要求1或2所述的光加热装置，其特征在于，所述支承构件具备使所述被处理基板以与所述第二主面正交且通过所述第二主面的中心的轴为旋转轴进行旋转的旋转机构。6.根据权利要求1或2所述的光加热装置，其特征在于，搭载于所述LED基板的所述多个LED元件出射的光的峰值波长为300nm以上且1000nm以下的范围内。7.根据权利要求6所述的光加热装置，其特征在于，搭载于所述LED基板的所述多个LED元件出射的光的峰值波长为800nm以上且900nm以下的范围内。8.一种加热处理方法，通过对载置于支承构件的被处理基板照射从包含搭载有LED元件群的LED基板的多个光源单元出射的光来进行加热，其特征在于，所述LED基板的第一主面和载置于所述支承构件的所述被处理基板的第二主面不平行，在将所述第一主面与所述第二主面所成的角度设为θ，将搭载于所述LED基板上的关于所述第二主面的法线方向位于距所述第二主面最近处的第一LED元件与所述被处理基板的分离距离设为D1，将搭载于所述LED基板上的关于所述法线方向位于距所述第二主面最远处的第二LED元件与所述第一LED元件的分离距离设为D2时，将从以满足下述(1)式的方式配置的所述多个光源单元的各自出射的光向所述被处理基板照射：2tan2θ/cosθ≥D2/D1(1)。9.根据权利要求8所述的加热处理方法，其特征在于，基于所述分离距离D1及所述分离距离D2来决定所述角度θ的值，基于决定出的所述角2CN115938975A权利要求书2/2页度θ的值来使所述LED基板的位置变化。3CN115938975A说明书1/8页光加热装置、加热处理方法技术领域[0001]本发明涉及光加热装置及加热处理方法。背景技术[0002]在半导体制造工艺中，对半导体晶片等被处理基板进行成膜处理、氧化扩散处理、改性处理、退火处理之类的各种各样的热处理。在这些处理中，经常采用由能够实现非接触的处理的光照射实现的加热处理方法。[0003]作为用于对被处理基板进行加热处理的装置，已知有搭载卤素灯等灯、LED等固体光源且