

一种微米级单晶ZIFs及制备方法.pdf
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一种微米级单晶ZIFs及制备方法.pdf
本发明公开了一种室温下微米级单晶ZIFs及制备方法,属于金属有机框架材料制备技术领域。包括步骤:将金属盐和咪唑盐分别溶解于去离子水及醇溶液中配置成溶液;将二甲苯溶液小心的滴加入金属盐水溶液上;将咪唑盐溶液小心的滴加入二甲苯溶液中,构成三个溶液层;由于咪唑盐在二甲苯溶液中的溶解度比醇溶液低,因此,咪唑盐通过醇溶液和二甲苯溶液的界面,并在二甲苯溶液中缓慢扩散。在水和二甲苯溶液界面处,金属盐与咪唑盐缓慢接触,从而在接触界面缓慢的生长ZIFs单晶至微米级1~50μm。本发明具有成本低,工艺简单,合成温度低以及无需
一种微米级单晶铜互连结构及其制备方法.pdf
本发明公开了一种微米级单晶铜互连结构及其制备方法,属于电子封装领域。所述结构主要包括基底、阻挡层、含磷铜种子层、铜针;所述基底为具有通孔和沟槽的介质层、具有盲孔的硅晶圆、具有铜柱窗口的半导体衬底中的一种;所述阻挡层设置在介质层的通孔和沟槽的内侧壁和底部、硅晶圆的盲孔的内侧壁和底部、或半导体衬底上的铜柱窗口底部;所述含磷铜种子层设置在与基底平行的阻挡层上方;所述铜针在含磷铜种子层上沉积得到。该结构在铜种子层中掺入磷元素,进行电镀时不需要添加剂的协助即可形成微米级单晶铜针,作为铜互连结构。本发明得到的铜互连结
一种微米级单晶三元正极材料的制备方法.pdf
本发明公开了一种微米级单晶三元正极材料的制备方法,原料砂磨混合:将羰基镍、羰基钴、羰基锰和叔丁基锂在砂磨机中按照摩尔比0.2‑0.6:0.2‑0.4:0.2‑0.5:0.95‑1.15高速研磨,砂磨机工作的线速度a=20‑35m/s,研磨介质为碳化钨颗粒尺寸b=0.1‑5毫米,研磨时间b*600/a小时;材料烧结:材料于空气气氛中,采用普通圆盘电炉烧结,电炉功率为P=1500‑3000W,电炉丝长度L=5‑15米,烧结时间为P*0.3/L小时,得到微米级单晶三元正极材料。本发明通过采用本工艺合成的微米级单
一种α-Bi2O3单晶微米棒的制备方法.pdf
本发明涉及一种生产α-Bi2O3单晶微米棒的方法。其方法是以溴化钠(NaBr)和硝酸铋(Bi(NO3)3?5H2O)为原料,首先合成α-Bi2O3的前驱体BiOBr,然后将生成的BiOBr放入马弗炉中以10℃/分钟的升温速率从室温升温至750~900℃后,保温2~4小时后,随炉温冷却至室温,使BiOBr在焙烧过程中失去溴元素的同时发生晶格转变,生成直径为5~10μm、长度为10~50μm的α-Bi2O3单晶微米棒。所制备的α-Bi2O3单晶结晶度高、晶粒形貌、大小均匀,晶体纯度高。本发明制备工艺简单,且原
一种微米级钛箔的制备方法.pdf
本发明公开了一种微米级钛箔的制备方法,该方法为:一、将钛带送入轧机进行一次轧制,得到一次轧制钛箔半成品;二、清洗后送入真空炉中进行保温处理;三、将一次轧制钛箔半成品送入轧机进行二次轧制,得到二次轧制钛箔半成品;四、清洗后送入真空炉中进行保温处理;五、将二次轧制钛箔半成品送入轧机进行三次轧制,得到三次轧制钛箔半成品;六、清洗后送入真空炉中进行保温处理,得到钛箔成品。本发明工艺过程简单,节省能源,能耗低,有效提高了生产效率,能够制备得到厚度仅为0.007mm~0.009mm的钛箔,钛箔的表面光洁、无裂纹、无起